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M29W040B
4兆位（ 512KB X8 ，统一座）
低压单电源闪存
s
单2.7至3.6V电源电压
编程，擦除和读取操作
存取时间： 55ns
编程时间
- 每字节为10μs典型
8均匀64K字节的内存块
编程/擦除控制器
- 嵌入式字节的程序算法
- 嵌入式多块/片擦除算法
- 状态寄存器轮询和切换位
PLCC32 （ K）
TSOP32 （ N）
8× 20毫米
s
s
s
s
s
擦除挂起和恢复模式
- 阅读并计划在另一座
擦除挂起
TSOP32 （ NZ ）
8× 14毫米
s
解锁绕道程序命令
- 加快生产/批处理编程
低功耗
- 待机和自动待机
s
图1.逻辑图
s
每10万编程/擦除周期
块
20年数据保留
- 低于1ppm缺陷率/年
VCC
s
s
电子签名
- 制造商代码： 20H
- 器件代码： E3H
A0-A18
19
8
DQ0-DQ7
W
E
G
M29W040B
VSS
AI02953
2002年4月
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