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M29W004T ， M29W004B
表8.说明
(1)
跨国公司。
INSTR 。
读/复位
内存
ARRAY
CYC 。
1+
地址。
(3,7)
数据
3+
地址。
(3,7)
数据
AS
(4)
第一天幕。第二天幕。第三天幕。
X
F0h
5555h
AAH
5555h
AAH
5555h
AAH
5555h
AAH
5555h
AAH
X
B0h
X
30h
2AAAh
55h
2AAAh
55h
2AAAh
55h
2AAAh
55h
2AAAh
55h
5555h
F0h
5555h
90h
5555h
A0h
5555h
80h
5555h
80h
4天幕。
第五天幕。
6天幕。
7天幕。
读存储器阵列，直到一个新的写周期开始。
读存储器阵列，直到一个新的写周期
被启动。
阅读电子签名或阻止
保护状态，直到一个新的写周期
发起。见注5和6 。
节目
地址读数据轮询或切换位
直到项目完成。
节目
数据
5555h
AAH
5555h
AAH
2AAAh
55h
2AAAh
55h
块
另外
地址块
(8)
30h
5555h
10h
30h
注9
RD
(2,4)
地址。
(3,7)
自动选择
3+
数据
地址。
(3,7)
PG
节目
4
数据
6
地址。
(3,7)
数据
BE
块擦除
CE
芯片擦除
6
地址。
(3,7)
数据
ES
(10)
抹去
暂停
抹去
简历
1
地址。
(3,7)
数据
阅读切换到停止，然后读取所有从任何需要的数据
块（ S）不能被擦除，然后恢复擦除。
读取数据轮询或切换位，直到完成擦除或擦除
暂停其他时间
ER
1
地址。
(3,7)
数据
注意事项：
1.命令在该表中未解释会默认读取阵列模式。
的t 2.等待
PLYH
需要一个读/复位命令后，如果内存在擦除或编程模式
在开始任何新操作之前（见表14和图9）。
3. X =不在乎。
4.在RD的或AS指令的第一个周期之后的读操作。任何数量的读周期后可以发生
命令周期。
5.签名地址位A0 ， A1在V
IL
将输出制造商代码（ 20H） 。地址位A0在V
IH
而A1在V
IL
将输出
设备代码。
6.块保护地址： A0在V
IL
， A1在V
IH
并且将输出块保护状态块中A13 - A18 。
7.编码周期地址输入A15 - A18都不在乎。
8.可选，额外的块地址必须最后写的条目，超时状态后擦除超时时间内进入
可以通过DQ3值进行校验（见擦除定时器位DQ3说明） 。当完整的命令输入，读取数据轮询
或切换位，直到擦除完毕或暂停。
9.读数据查询，拨动位或RB ，直到擦除完成。
10.During擦除挂起，读取数据和程序的功能是允许在不被擦除的块。
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