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M29W004T ， M29W004B
表15B 。写AC特点，写使能受控
(T
A
= 0至70℃ ， -20℃至85 ℃或-40至85 ℃）
M29W004T / M29W004B
符号
ALT
参数
-120
V
CC
= 2.7V至3.6V
民
t
AVAV
t
ELWL
t
WLWH
t
DVWH
t
WHDX
t
WHEH
t
WHWL
t
AVWL
t
WLAX
t
GHWL
t
VCHEL
t
WHGL
t
PHPHH （1,2）
t
PLPX
t
WHRL （1）
t
PHWL （1）
t
VCS
t
OEH
t
WC
t
CS
t
WP
t
DS
t
DH
t
CH
地址有效到下一个地址有效
芯片使能低到写使能低
写使能低到写使能高
输入有效到写使能高
写使能高到输入转换
写使能高到芯片使能高
120
0
50
50
0
0
30
0
50
0
50
0
500
500
90
4
4
最大
-150
V
CC
= 2.7V至3.6V
民
150
0
65
65
0
0
35
0
65
0
50
0
500
500
90
最大
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
s
ns
ns
ns
ns
s
单位
t
WPH
写使能高到写使能低
t
AS
t
AH
地址有效到写使能低
写使能低到地址转换
输出使能高到写使能低
V
CC
高到芯片使能低
写使能高到输出使能低
t
VIDR
RP上升时间到V
ID
t
RP
RP脉冲宽度
t
忙
程序擦除有效到RB延迟
t
RSP
RP高到写使能低
注意事项：
只有1.样品，而不是100 ％测试。
2.本定时对临时块unprotection的操作。
芯片擦除（ CE ）指令。
该指令使用
6写周期。擦除设置命令80H
写入后处理5555H在第三周期
两个编码周期。芯片擦除确认
命令10H同样写在了第六周期
接连两个编码周期。如果第二
命令给定的不擦除确认，或者如果
编码周期是错误的，指令和中止
该设备重置为读阵列。这是没有必要
与00H数组第一个为P / E.C编程。将
它删除到FFH之前自动执行此操作。读
之后， W或E的第六个上升沿操作
输出状态寄存器的位。期间都是空
擦除由P / EC ，数据查询位DQ7和灰
返回' 0' ，那么'1'上完成。触发位
DQ2和DQ6擦除操作过程中切换和
之后W或输出的第六上升沿
状态寄存器中的状态位。
在擦除由P / EC号指令的执行过程中，
内存只接受擦除挂起ES和
读/复位RD指令。数据轮询位DQ7
返回' 0 '，而擦除过程中和'1'
当它已完成。切换位DQ2和
DQ6的擦除操作期间切换。他们停止
当擦除完成。完成后
状态寄存器位DQ5返回“1” ，如果出现了
擦除失败。在这种情况下，该切换位
DQ2可以被用来确定哪些块是不是
正确擦除。在擦除失败，一个的情况下
读/复位RD指令是必要的，以
复位的P / E.C 。
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