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M29F800AT ， M29F800AB
表2.绝对最大额定值
(1)
符号
参数
工作环境温度（温度范围选项1 ）
T
A
工作环境温度（温度范围选项6 ）
工作环境温度（温度范围选项3 ）
T
BIAS
T
英镑
V
IO （2）
V
CC
V
ID
在偏置温度
储存温度
输入或输出电压
电源电压
识别电压
价值
0到70
-40到85
-40至125
-50至125
-65到150
-0.6 6
-0.6 6
-0.6至13.5
单位
°C
°C
°C
°C
°C
V
V
V
注： 1，除了等级“工作温度范围” ，强调高于表中所列“绝对最大额定值”可能
对器件造成永久性损坏。这些压力额定值只，设备的操作在这些或任何其他条件
超出本规范的经营部门所标明的是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件
系统蒸发散长时间可能会影响器件的可靠性。另请参阅意法半导体处处计划和其他有关的质
性文件。
2.最小电压可能下冲至-2V过渡期间和小于在转换过程中为20ns 。
在存储器中的块是不对称AR-
列，看表3A和3B中，块地址。
第一个或最后一个64字节被分成
另外四个区块。 16 KB的引导块
可用于小的初始化代码开始
微处理器，两个8 KB的参数
块可用于存储参数和
剩下的32K是小主座，其中AP-
褶皱可以被存储。
芯片使能，输出使能和写使能显
的NAL控制内存的总线操作。
他们让大多数微处理器的简单连接
处理机，通常无需额外的逻辑。
内存提供的TSOP48 （ 12× 20毫米）
和SO44封装。为70ns的存取时间和
为90ns可用。存储与供给
全部被擦除的位（设置为' 1'） 。
信号说明
参见图1 ，逻辑图和表1中，信号
名，对于信号的简要概述连接 -
编此设备。
地址输入（ A0 - A18 ） 。
地址输入
选择的细胞中的存储器阵列中访问能很好地协同
ING总线读操作。在总线写操作
系统蒸发散它们控制发送到该命令
内部状态机的命令接口。
数据输入/输出（ DQ0 - DQ7 ） 。
该数据在 -
投入/产出输出保存在选定的数据
总线读操作过程中解决。在公交车
写操作它们所代表的命令
发送到内部状态的命令接口
机。
数据输入/输出（ DQ8 - DQ14 ） 。
该数据在 -
投入/产出输出保存在选定的数据
当字节期间总线读操作地址
是高电平，V
IH
。当字节为低，V
IL
，这些引脚
不使用，它们是高阻抗。在公交车
写操作命令寄存器不
使用这些位。当读状态寄存器
这些位将被忽略。
数据输入/输出或输入地址（ DQ15A - 1 ） 。
当字节为高，V
IH
，该引脚表现为
数据输入/输出引脚（如DQ8 - DQ14 ） 。当
字节是低，V
IL
，该引脚表现为一个地址
销; DQ15A - 1低会选择Word中的LSB
在其他地址， DQ15A - 1高将选择
的MSB。通篇考虑引用
数据输入/输出，包括该引脚时，
字节是高和引用的地址在 -
把包含该引脚时，字节是除了低
明确指出，否则当。
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