位置:首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第2845页 > M295V400B-55M3R > M295V400B-55M3R PDF资料 > M295V400B-55M3R PDF资料1第20页

M29F400T , M29F400B
图7.写AC波形,硬件控制
tAVAV
A0-A17/
A–1
有效
tWLAX
tAVWL
E
tELWL
G
tGHWL
W
tWHWL
tDVWH
DQ0-DQ7/
DQ8-DQ15
有效
tWHDX
tWLWH
tWHGL
tWHEH
VCC
tVCHEL
RB
tWHRL
AI01869C
注意:
地址被锁存于W的下降沿,数据被锁存, W的上升沿
电源
上电
该memoryCommand接口复位上电
到读阵列。东或者西必须连接到V
IH
在上电期间,允许最大的安全性和
的可能性,以在所述第一崛起写一个命令
E和W的边缘,任何写周期的起始是
阻塞当VCC低于V
LKO
.
电源轨
正常的预防措施,必须采取电源电压
年龄脱钩;系统中的每个设备应
有V
CC
铁路脱钩与0.1μF的电容
靠近V
CC
和V
SS
销。 PCB走线
宽度应足以携带在V
CC
亲
克和擦除所需的电流。
20/34