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M29F200T
M29F200B
2兆位（ 256Kb的X8或X16 128KB ，引导块）
单电源闪存
5V ±10％电源电压程序，
擦除和读取操作
快速存取时间： 55ns
快速编程时间
– 10
S按字节/ 16
S按字典型
编程/擦除控制器（ P / E.C 。 ）
- 程序逐字节或字的字
- 状态寄存器的位和就绪/忙输出
内存块
- 引导块（顶部或底部的位置）
- 参数及主要街区
块，多块和芯片擦除
多块保护/ TEMPORARY
解除保护模式
擦除挂起和恢复模式
- 阅读并计划在另一座
擦除挂起
低功耗
- 待机和自动待机
每10万编程/擦除周期
块
20年数据保留
- 在1ppm以下缺陷率/年
电子签名
- 制造商代码： 0020H
- 设备代码， M29F200T ： 00D3h
- 设备代码， M29F200B ： 00D4h
描述
该M29F200是一个非易失性存储器可
可在块或芯片级电擦除和
在系统编程的逐Byteor字处理
由字只用单5V V基础
CC
供应量。
进行必要的编程和擦除操作
内部产生高电压。该装置
也可以在标准编程编程
聚体。
该阵列矩阵式组织使每个块
被擦除和重新编程，而不影响
其他模块。块可以防止亲
graming和擦除编程设备，
暂时无保护做出改变
该应用程序。
1998年7月
44
1
TSOP48 （ N）
12 ×20mm的
SO44 （M）的
图1.逻辑图
VCC
17
A0-A16
W
E
G
RP
M29F200T
M29F200B
15
DQ0-DQ14
DQ15A–1
字节
RB
VSS
AI01986
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