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M29F200BT ， M29F200BB
图2A 。 TSOP连接
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
NC
NC
W
RP
NC
NC
RB
NC
NC
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
1
48
A16
字节
VSS
DQ15A–1
DQ7
DQ14
DQ6
DQ13
DQ5
DQ12
DQ4
VCC
DQ11
DQ3
DQ10
DQ2
DQ9
DQ1
DQ8
DQ0
G
VSS
E
A0
图2B中。 SO连接
12
13
M29F200BT
M29F200BB
37
36
NC
RB
NC
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
E
VSS
G
DQ0
DQ8
DQ1
DQ9
DQ2
DQ10
DQ3
DQ11
1
44
2
43
3
42
4
41
5
40
6
39
7
38
8
37
9
36
10
35
11 M29F200BT 34
12 M29F200BB 33
13
32
14
31
15
30
16
29
17
28
18
27
19
26
20
25
24
21
22
23
AI02914
RP
W
A8
A9
A10
A11
A12
A13
A14
A15
A16
字节
VSS
DQ15A–1
DQ7
DQ14
DQ6
DQ13
DQ5
DQ12
DQ4
VCC
24
25
AI02913
表1.信号名称
A0-A16
DQ0-DQ7
DQ8-DQ14
DQ15A–1
E
G
W
RP
RB
字节
V
CC
V
SS
NC
2/22
地址输入
数据输入/输出
数据输入/输出
数据输入/输出或输入地址
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
复位/座临时撤消
READY / BUSY输出
字节/字组织的选择
电源电压
地
在内部没有连接
概要说明
该M29F200B是2兆比特（ 256Kb的X8或128KB
×16）的非易失性存储器，可进行读取，擦除
和重新编程。这些操作可以per-
使用单一5V电源形成。上电时
内存默认的阅读模式，它可以
读以同样的方式作为ROM或EPROM 。该
M29F200B完全向后兼容
M29F200.
所述存储器被划分成块，可以是
独立地被擦除，因此，能够维持
而旧的数据被擦除的有效数据。每块可
独立的保护，以防止意外
从修改编程或擦除命令
内存。编程和擦除命令令状
10到存储器的命令接口。一
片上编程/擦除控制器简化了
编程的过程或擦除的存储器
把所有的特殊操作进行护理
需要更新的存储器内容。结束
编程或擦除操作，可以检测
并确定了所有错误。命令
控制内存所需的设定是一致的
符合JEDEC标准。
