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M29F200BT
M29F200BB
2兆位（ 256Kb的X8或X16 128KB ，引导块）
单电源闪存
初步数据
s
单5V ± 10 ％电源电压
编程，擦除和读取操作
存取时间：为45nS
编程时间
- 每个字节8μs /字典型
7内存块
- 1引导块（顶部或底部的位置）
- 2参数和4个主要模块
1
44
s
s
s
s
编程/擦除控制器
- 嵌入式字节/ Word程序算法
- 嵌入式多块/片擦除算法
- 状态寄存器轮询和切换位
- 就绪/忙输出引脚
TSOP48 （ N）
12× 20毫米
SO44 （M）的
s
擦除挂起和恢复模式
- 阅读并计划在另一座
擦除挂起
图1.逻辑图
s
解锁绕道程序命令
- 加快生产/批处理编程
临时块解除保护
模式
低功耗
- 待机和自动待机
每10万编程/擦除周期
块
20年数据保留
- 低于1ppm缺陷率/年
电子签名
- 制造商代码： 0020H
- M29F200BT器件代码： 00D3h
- M29F200BB器件代码： 00D4h
A0-A16
W
E
G
RP
VCC
s
17
15
DQ0-DQ14
DQ15A–1
M29F200BT
M29F200BB
字节
RB
s
s
s
s
VSS
AI02912
1999年10月
这是对正在开发或正在接受评估新产品的初步信息。详细信息如有变更，恕不另行通知。
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