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M29F200BT ， M29F200BB
表6.程序，擦除时间和程序擦除周期耐力
(T
A
= 0至70℃ ， -40至85℃或-40 125 ℃）下
参数
芯片擦除（在内存中的所有位设置为“0” ）
芯片擦除
块擦除（ 64字节）
程序（字节或字）
芯片计划（逐字节）
芯片方案（一字一句）
编程/擦除周期（每块）
注： 1中。T
A
= 25 ° C，V
CC
= 5V.
民
典型值
(1)
0.8
2.5
0.6
8
2.3
1.2
典型的后
10万W / E循环
(1)
0.8
2.5
0.6
8
2.3
1.2
最大
单位
美国证券交易委员会
10
4
150
9
4.5
美国证券交易委员会
美国证券交易委员会
s
美国证券交易委员会
美国证券交易委员会
周期
100,000
每个块的块保护状态可
通过阅读与A0 = V总线读操作
IL
,
A1 = V
IH
和A12 - A16指定的地址
块。其它地址位可以被设置为EI-
疗法V
IL
或V
IH
。若该块保护─
ED则01H是数据输入/输出输出
DQ0 - DQ7 ，否则00H输出。
程序命令。
该计划的命令
可用于编程的一个值，以1地址
在一个时间的存储器阵列。该命令重
张塌塌米4总线写操作，最后写OP-
关合作锁存器中的内部地址和数据
状态机，并开始编程/擦除CON-
控制器。
如果该地址落在一个受保护的块则
程序指令被忽略，数据仍然
不变。状态寄存器是从来不看，并
没有给出错误状态。
在程序运行内存会会忽
诺尔的所有命令。它不可能发出任何
命令中止或暂停操作。典型
节目时间在表6总线读给OP-
该程序运行将输出操作过程
在数据输入/输出的状态寄存器。
看到在状态寄存器中的章节更多
详细信息。
之后的编程操作已完成
存储器将返回到读模式，除非一个
已发生错误。当发生错误的
内存将继续输出状态雷吉斯 -
之三。读/复位命令必须发出重新
设置错误条件并返回到读取模式。
需要注意的是该程序的命令不能改变
位设置为'0'回到'1' ，并试图这样做会
导致错误。一个擦除命令必须
用于设置在一个块中或在整个所有的位
内存从'0 '到' 1 ' 。
解锁绕道命令。
解锁绕道
命令一起使用的解锁
绕道程序命令编程memo-
RY 。时的存取时间的设备是长期（如
一些EPROM编程器）相当
节省时间可以使用这些命作
mands 。需要三个总线写操作
发出解锁绕道命令。
一旦解锁绕道命令一直是─
状告内存将只接受解锁附例
通过程序指令和解锁绕道
复位命令。存储器可以被理解为，如果在
阅读模式。
解锁绕道程序命令。
在非
锁绕道程序命令可用于
在编程时在内存中的一个地址。该
命令需要两个总线写操作，
最后的写操作锁存地址和数据
在内部状态机，并启动副校
克/擦除控制器。
使用解锁绕道程序操作
程序命令相同的行为与亲
克操作使用程序命令。一
保护块不能编程;中的操作数
ATION不能中止，状态寄存器
读取。错误必须被重新使用的读/复位
命令，这使该设备在解锁附例
通过模式。详细信息请参见程序命令
上的行为。
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