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M29F200T ， M29F200B
表14B 。阅读交流特性
(T
A
= 0至70
°
C， -40 85
°
C或-40 125
°
C)
M29F200T / M29F200B
符号
ALT
参数
测试条件
-90
标准
接口
民
t
AVAV
t
AVQV
t
ELQX （1）
t
ELQV （2）
t
GLQX
(1)
-120
标准
接口
民
120
90
120
0
90
120
0
35
50
0
20
30
0
20
30
0
10
10
50
500
5
20
40
5
30
40
最大
单位
最大
t
RC
t
加
t
LZ
t
CE
t
OLZ
t
OE
t
OH
t
HZ
t
OH
t
DF
t
OH
地址有效到下一个地址有效
地址有效到输出有效
芯片使能低到输出转换
芯片使能低到输出有效
输出使能低到输出
过渡
输出使能低到输出有效
芯片使能高到输出
过渡
芯片使能高到输出高阻
输出使能高到输出
过渡
输出使能高到输出高阻
地址转换到输出
过渡
E = V
IL
，G = V
IL
E = V
IL
，G = V
IL
G = V
IL
G = V
IL
E = V
IL
E = V
IL
G = V
IL
G = V
IL
E = V
IL
E = V
IL
E = V
IL
，G = V
IL
90
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
s
ns
ns
ns
ns
ns
0
0
t
GLQV （2）
t
EHQX
t
EHQZ
(1)
0
t
GHQX
t
GHQZ
(1)
0
t
AXQX
t
PLYH （1,3）
t
PHEL
t
PLPX
t
ELBL
t
ELBH
t
BLQZ
t
BHQV
0
t
RRB
RP低到读模式
t
准备
t
RH
t
RP
RP高到芯片使能低
RP脉冲宽度
50
500
t
ELFL
芯片使能为字节交换低
t
ELFH
或高
t
FLQZ
BYTE开关低到输出高阻
t
FHQV
BYTE开关高到输出有效
注意事项：
1.采样只，而不是100 ％测试。
2. G可以由多达吨被延迟
ELQV
- t
GLQV
的E不增加吨的下降沿之后
ELQV
.
3.被认为仅当复位脉冲发出，而存储器是在擦除或编程模式。
块不被擦除回报的有效数据。中
悬挂的内存只会给回应
删除恢复ER和程序指令PG
系统蒸发散。在编程操作过程中可启动
擦除挂起中的一个块不被
删除。这将导致两个DQ2和DQ6的肘节
当数据被beingprogrammed 。的aread /复位
命令将最终中止擦除和结果
在块无效数据被擦除。
删除恢复（ ER ）指令。
如果擦除可持
先前执行挂起指令时，
擦除操作可以通过给恢复
命令30h中，在任何地址，并且没有任何
编码周期。
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