位置：首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第1529页 > M295V200B-70M1R > M295V200B-70M1R PDF资料 > M295V200B-70M1R PDF资料1第6页
M29F200T ， M29F200B
就绪/忙输出（ RB ） 。
就绪/忙是
开放式drainoutput并给出了该internalstate
P / E.C 。该装置。当R B为低时，器件
正忙于编程或擦除操作，并
将不接受任何额外的编程或擦除
除了擦除指令暂停指令。
WhenRB为高电平时，设备已准备好对任何读，
编程或擦除操作。对RB也将
高时，存储器被置于擦除挂起或
待机模式。
复位/座临时撤消输入（ RP ） 。
RP的输入提供了硬件复位和亲
tected块（ S）暂时解除保护功能。
内存复位拉的RP来达到的
V
IL
用于至少为500ns 。当复位脉冲是
鉴于，如果内存在读取或待机模式，
其将可用于以后在50ns的新业务
RP的上升沿。如果内存中删除，
擦除挂起或程序模式复位会
取10微秒，在此期间的RB信号将被保持
在V
IL
。存储器复位年底将beindicated
由RB的上升沿。在硬件复位
一个Eraseor Programoperation将损坏的数据
被编程或所属部门被删除。
临时块解除保护是通过举办制成
RP在V
ID
。在这种状态下先前保护
块可以被编程或擦除。的跃迁
从V RP和灰
IH
到V
ID
必须大于500ns的慢。
当RP从V返回
ID
到V
IH
所有块
暂时未受保护将再次被保护。
V
CC
电源电压。
对于所有的电源
操作（读取，编程和擦除） 。
V
SS
地面上。
V
SS
对于所有电压基准
测量。
设备操作
参照表4，5和6 。
读取。
读操作被用于输出
的存储器阵列，所述电子显的内容
性质，状态寄存器或块保护
状态。这两个芯片使能E和输出使能摹
必须低，以读取的输出
内存。
写。
写operationsare用来给指令
命令到存储器或锁存输入数据，以
进行编程。写operationis启动时
芯片使能E为低和写使能W为低
与输出使能摹高。地址锁存
在过去的W或ê whicheveroccurs下降沿。
命令和输入数据被锁存的上升
以先到为准W或é的边缘。
输出禁用。
数据输出为高阻抗
ANCE当输出使能G是高配写
使W高。
待机。
内存处于待机状态时，芯片
启用E是高的P / E.C 。是空闲的。电源
消耗减少到备用水平和
的输出是高阻抗的，独立的
输出使能G或写使能W输入。
自动待机。
公交车后闲置为150ns
当CMOS电平的被驱动该地址
该芯片会自动进入一个伪待机
模式下消耗减少到CMOS
备用值，而产出仍然驱动总线。
电子签名。
两码识别
制造商，该设备可以从被读
内存。制造商的代码STMi-
croelectronics是20H ，设备代码为D3H的
M29F200T （顶部引导）和D4H的M29F200B
（底部引导） 。这些代码允许编程
设备或应用到自动匹配
其界面的特性
M29F200 。电子签名是输出由
读操作时施加至A9的电压为
在V
ID
和地址输入A1为低。该制造
商代码时，输出地址输入A0为
低，设备代码，当此输入为高。
其他地址输入将被忽略。该码是
在输出DQ0 - DQ7 。
电子签名，也可以读出，而不
A9提高到V
ID
通过给存储器中的指令
灰AS 。如果选择字节宽度的配置
该代码是在DQ0 - DQ7with DQ8 - DQ14输出
在高阻抗;如果单词范围内的配置
被选择的代码输出上DQ0 - DQ7的同
DQ8 - DQ15为00H 。
块保护。
每个块可以被分别
防止编程或擦除编程
明装。块保护提供了额外
方面的资料的安全性，因为它禁止所有的程序或
擦除operations.This模式activatedwhen既
A9和G被升高到V
ID
并且在一个地址
块施加在A12 A16 。块保护
算法示于图14块保护
关于W的边缘下降到V开始
IL
。再经过
为100μs的延迟， W的边缘上升到V
IH
端
保护操作。块保护验证是
通过将G， E， A0and A6到V实现
IL
和A1
到V
IH
，而W是在V
IH
和A9在V
ID
。在这些
条件，读出该数据输出将产生01H如果
由输入端上的A12 A16限定的块是
受保护的。任何企图编程或擦除亲
tected块将通过该装置被忽略。
6/33
