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M29F200T ， M29F200B
图11.数据查询流程图
图12.数据触发流程图
开始
开始
READ DQ5 & DQ7
在有效的地址
读
DQ2 ， DQ5 & DQ6
DQ7
=
数据
NO
NO
是的
DQ2 ， DQ6
=
切换
是的
NO
NO
DQ5
=1
是的
阅读DQ7
DQ5
=1
是的
读DQ2 ， DQ6
DQ7
=
数据
NO
失败
是的
DQ2 ， DQ6
=
切换
是的
通
失败
NO
通
AI01369
AI01873
表18.编程，擦除时间和程序擦除周期耐力
(T
A
= 0至70
°
℃; V
CC
= 5V
±
10％或5V
±
5%)
M29F200T / M29F200B
参数
民
芯片擦除（预编程）
芯片擦除
引导块擦除
参数块擦除
主座（ 32KB）擦除
主座（ 64KB）擦除
芯片方案（字节）
字节编程
Word程序
编程/擦除周期（每块）
100,000
典型值
0.7
2.4
0.6
0.5
0.9
1.0
2.8
11
20
2.8
11
20
典型的后
10万W / E循环
0.9
2.5
单位
美国证券交易委员会
美国证券交易委员会
美国证券交易委员会
美国证券交易委员会
美国证券交易委员会
美国证券交易委员会
美国证券交易委员会
s
s
周期
25/33
