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M29F200T ， M29F200B
表14A 。阅读交流特性
(T
A
= 0至70
°
C， -40 85
°
C或-40 125
°
C)
M29F200T / M29F200B
符号
ALT
参数
测试条件
-55
高速
接口
民
t
AVAV
t
AVQV
t
ELQX （1）
t
ELQV （2）
t
GLQX
(1)
-70
标准
接口
民
70
55
70
0
55
70
0
30
30
0
15
20
0
15
20
0
10
10
50
500
5
15
30
5
20
30
最大
单位
最大
t
RC
t
加
t
LZ
t
CE
t
OLZ
t
OE
t
OH
t
HZ
t
OH
t
DF
t
OH
地址有效到下一个地址有效
地址有效到输出有效
芯片使能低到输出转换
芯片使能低到输出有效
输出使能低到输出
过渡
输出使能低到输出有效
芯片使能高到输出
过渡
芯片使能高到输出高阻
输出使能高到输出
过渡
输出使能高到输出高阻
地址转换到输出
过渡
E = V
IL
，G = V
IL
E = V
IL
，G = V
IL
G = V
IL
G = V
IL
E = V
IL
E = V
IL
G = V
IL
G = V
IL
E = V
IL
E = V
IL
E = V
IL
，G = V
IL
55
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
s
ns
ns
ns
ns
ns
0
0
t
GLQV （2）
t
EHQX
t
EHQZ
(1)
0
t
GHQX
t
GHQZ
(1)
0
t
AXQX
t
PLYH （1,3）
t
PHEL
t
PLPX
t
ELBL
t
ELBH
t
BLQZ
t
BHQV
0
t
RRB
RP低到读模式
t
准备
t
RH
t
RP
RP高到芯片使能低
RP脉冲宽度
50
500
t
ELFL
芯片使能为字节交换低
t
ELFH
或高
t
FLQZ
BYTE开关低到输出高阻
t
FHQV
BYTE开关高到输出有效
注意事项：
1.采样只，而不是100 ％测试。
2. G可以由多达吨被延迟
ELQV
- t
GLQV
的E不增加吨的下降沿之后
ELQV
.
3.被认为仅当复位脉冲发出，而存储器是在擦除或编程模式。
擦除挂起（ ES ）指令。
块
擦除操作可以通过这个指令暂停
化其中包括写入命令B0H的
没有任何特定的地址。无编码周期
所需。它允许数据的读出从另一
块和编程的同时，另一块
擦除操作正在进行中。擦除挂起是
只有块擦除指令期间接受
执行。擦除过程中写这个命令
超时会，除了暂停擦除，
终止超时。切换位DQ6站
togglingwhen在P / E.C 。是suspended.The切换
位将停止间切换0.1
s和15
之后一下
擦除挂起（ ES ）命令已令状
10 。该设备将自动设置为
读取内存阵列模式。当擦除可持
挂起，读的数据块被擦除会
输出DQ2翻转，DQ6 “1” 。 A读的
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