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M29F200T ， M29F200B
命令接口
说明，由命令写在赛扬
克莱斯，可以给编程/擦除控制器
通过命令接口（ C.I. ） 。为了增加
数据保护，编程或擦除开始执行
后4个或6个周期。第一，第二，第四和第五
周期用于输入编码周期的C.I。
此编码序列是相同的所有亲
克/擦除控制器的指令。在“ COM的
命令“本身和它的确认，在适用时，
给出了在第三，第四或第六个周期。任何
不正确的命令或任何不正确的指令SE-
quence将复位器件来读取阵列模式。
说明
七个指令被定义为执行读
阵列，自动选择（阅读ElectronicSignature
或阻止ProtectionStatus ） ，程序，块擦除，
芯片擦除，擦除暂停和擦除恢复。
内部P / E.C 。自动处理所有时序
荷兰国际集团和验证的编程和擦除的
operations.The状态寄存器的数据轮询，将触发
GLE ，错误比特和RB的输出可以被读出
任何时候，编程或擦除过程中，监控
的操作的进度。
指令是由多达六个周期。该
前两个周期中输入一个编码序列与
命令Interfacewhich iscommon所有指令
行动（见表8） 。第三个周期输入
指令建立命令。后续周期
输出处理数据，电子签名或
块保护现状进行读操作。在
为了给更多的数据保护，该指令
系统蒸发散的程序和块或片擦除需要
进一步的指令输入。对于Programinstruction ，
第四个命令周期输入的地址和
数据进行编程。对于擦除指令
（块或片） ，第四和第五个周期输入
擦除确认之前，进一步的编码序列
命令上的第六个周期。一个存储器的擦除
块可能会被暂停，在orderto读取数据
另一个块还是程序数据在另一个块中，
然后重新开始。
当首次加电或者V
CC
瀑布下方
V
LKO
中，命令界面被重置为读
数组。
信号说明
参见图1和表1中。
地址输入（ A0 - A16 ） 。
地址输入端
存储器阵列被写在锁存操作
化片上的下降沿启动E或写
启用W.在Word内的组织的地址
线A0 - A16 ，在字节宽度的组织
DQ15A -1作为一个额外的LSB的地址线。
当A9提高到V
ID
，或者是读电子
签名制造商或设备代码，座
保护状态或写块保护或
块unprotection的启用取决于
组合在A0，A1， A6 ，A12和A15的水平。
数据输入/输出（ DQ0 - DQ7 ） 。
牛逼电子旗下e口正
却将/ Outputsare在用字节宽度和字处理
广泛的组织。的输入是数据是
存储器阵列或命令的程序
要写入的C.I。两者都锁定在
芯片的上升沿启动E或写使能W.
的输出是从存储器阵列的数据，在
电子签名制造商或设备
代码块保护状态或状态
注册数据查询位DQ7 ，触发位DQ6
和DQ2 ，错误位DQ5或擦除定时器位
DQ3 。输出有效时，芯片使能E和
输出使能G为主动。的输出为高
或阻抗当芯片被取消了
outputsare残疾人和RP的时候是处于较低的水平。
数据输入/输出（ DQ8 - DQ14和DQ15A - 1 ） 。
这些输入/输出的附加使用
字宽organisation.When BYTEis高DQ8-
DQ14和DQ15A -1充当数据的MSB
输入或输出，用作描述DQ0-
DQ7以上，而DQ8 - DQ15是“不关心”的
命令输入或状态输出。当字节是
低， DQ8 - DQ14是高阻抗， DQ15A -1
地址A-1输入。
芯片启用（ E） 。
该芯片使能输入激活
存储器控制逻辑，输入缓冲器，解码器
和读出放大器。 高deselectsthe内存
并减少consumptionto备用电源
的水平。 E可也被用于控制写入到
命令寄存器和存储器阵列中，而
W仍然处于较低水平。该芯片使能必须
被迫V
ID
块unprotection的操作过程
化。
输出使能（ G） 。
输出使能的大门
在读通过数据输出缓冲器
操作。当G为高，输出为高电平
阻抗。摹必须强制V
ID
在水平
块保护和unprotection的操作。
写使能（ W） 。
该输入控件写
命令Registerand Addressand Datalatches 。
字节/字组织的选择（ BYTE ） 。
该
字节输入选择的输出配置
设备：字节宽的（x8）模式或字宽（ X16 ）
模式。当字节为低电平时，字节宽度模式
选择并且该数据被读出和编程的
DQ0 - DQ7 。在这种模式下， DQ8 - DQ14是在高
阻抗和DQ15A -1是LSB地址。
当字节为高，字宽模式是SE-
lected并且该数据被读出和编程的
DQ0-DQ15.
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