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M29F200T ， M29F200B
表13.直流特性
(T
A
= 0至70
°
C， -40 85
°
C或-40 125
°
℃; V
CC
= 5V
±
10%)
符号
I
LI
I
LO
I
CC1
I
CC1
I
CC2
I
CC3
I
CC4 (1)
V
IL
V
IH
V
OL
V
OH
V
ID
I
ID
V
LKO
参数
输入漏电流
输出漏电流
电源电流（读） TTL字节
电源电流（读） TTL字
电源电流（待机） TTL
电源电流（待机） CMOS
电源电流（编程或擦除）
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压TTL
输出高电压CMOS
A9电压（电子签名）
A9电流（电子签名）
电源电压（擦除和
程序锁定）
A9 = V
ID
3.2
I
OL
= 5.8毫安
I
OH
= -2.5mA
I
OH
= –100
A
2.4
V
CC
–0.4V
11.0
12.0
100
4.2
测试条件
0V
≤
V
IN
≤
V
CC
0V
≤
V
OUT
≤
V
CC
E = V
IL
，G = V
IH
， F = 6MHz的
E = V
IL
，G = V
IH
， F = 6MHz的
E = V
IH
E = V
CC
±
0.2V
字节的程序，阻止或
芯片擦除正在进行中
–0.5
2
民
最大
±1
±1
20
20
1
100
20
0.8
V
CC
+ 0.5
0.45
单位
A
A
mA
mA
mA
A
mA
V
V
V
V
V
V
A
V
注意：
1.采样只，而不是100 ％测试。
确认或者编码周期是错误的，
指令终止，设备重置为阅读
数组。这是没有必要的块与编程
00H为P / E.C 。会前，自动执行此操作
要擦除到FFH 。第六后读操作
W或ê输出状态寄存器的上升沿
状态位。
在executionof擦除的P / EC ，该
内存只接受擦除挂起ES和
读/复位RD指令。数据轮询位DQ7
返回' 0 '，而擦除过程中和'1'
当它已完成。切换位DQ2和
DQ6的擦除操作期间切换。他们停止
当擦除完成。完成后
状态寄存器位DQ5 returns'1 “如果出现了
擦除失败。在这种情况下，该切换位
DQ2可以被用来确定哪些块是不是
正确擦除。在擦除失败，一个的情况下
读/复位RD指令是必要的，以
复位的P / E.C 。
芯片擦除（ CE ）指令。
Thisinstructionuses
6写周期。擦除设置命令80H
写入的字节宽度CON-解决AAAAH
成形或在地址5555H字宽
两个编码后configurationon第三周期
周期。芯片擦除确认命令10H是
同样写在anothertwo后的第六个周期
编码周期。如果给定的第二个命令是不
擦除确认或者编码周期是错误的，
指令中止和设备重置为
读阵列。它不necessaryto programthe阵列
与00H firstas THEP / E.C 。将automaticallydo这
前擦除到FFH 。后读操作
W或ê输出状态的第六个上升沿
寄存器位。在擦除的由执行
在P / EC ，数据查询位DQ7返回' 0 '，然后' 1 '
上完成。触发位DQ2和DQ6
擦除操作过程中切换和擦除时停止
就完成了。完成状态寄存器后，
位DQ5返回“1” ，如果出现了擦除
失败。
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