LTC1625
应用信息
基本LTC1625应用电路示于图1中。
外部元件的选择主要是由以下因素决定
最大负载电流，并开始用的选择
该检测电阻和功率MOSFET 。因为
LTC1625采用MOSFET V
DS
检测时，检测电阻
是R-
DS （ ON）
内的MOSFET 。工作频率
和电感器主要是根据所需的所拣选
量的纹波电流。最后，C
IN
被选择用于其
处理能力RMS电流大到转换器
和C
OUT
选择具有足够低的ESR ，以满足
输出电压纹波规范。
功率MOSFET选择
该LTC1625需要两个外部N沟道功率
的MOSFET ，一个用于顶部（主）开关和一个用于
底部（同步）开关。重要参数
功率MOSFET的击穿电压V
（ BR ） DSS
,
阈值电压V
GS （ TH）
上，电阻R
DS （ ON）
，反
传输电容C
RSS
和最大电流I
D（最大）
.
的栅极驱动电压由5.2V INTV设置
CC
供应量。
因此，逻辑电平阈值的MOSFET必须
在LTC1625应用中使用。如果低输入电压操作
化预期（V
IN
< 5V ），则子逻辑电平阈值
的MOSFET应该被使用。密切关注
V
（ BR ） DSS
规范了MOSFET的为好;许多
的逻辑电平的MOSFET被限制为30V或更少。
最大输出电流（ A）
ρ
T
归一化导通电阻
导通电阻的MOSFET是根据所选择的
所需的负载电流。最大平均输出电流
我租
O（最大值）
等于峰值电感电流少一半
峰 - 峰值的纹波电流
I
L
。峰值电感
电流固有地局限在一个电流模式控制器
由电流阈值I
TH
范围内。相应的
最大V
DS
检测电压约为150mV的去甲下
发作条件。该LTC1625不会允许峰值电感
目前超过150mV的/ R
DS （ ON） （ TOP）
。以下
公式可用于确定所需要的一个很好的指导
R
DS （ ON） （ MAX ）
在25℃ （制造商的说明书） ， AL-
哞哞叫一些余量为纹波电流，电流限制和
变化的LTC1625和外部组件的值：
R
DS （ ON） （ MAX ）
(
I
O（最大值）
)(
ρ
T
)
120mV
U
W
U
U
该
ρ
T
被归一化的术语占显著
变化在研发
DS （ ON）
同温度，一般约
为0.4％ / ℃，如示于图2结到外壳温度
TURE牛逼
JC
大约是10 ℃，在大多数应用中。对于
最高环境温度为70 ℃，使用
ρ
80°C
1.3
在上面的等式是合理的选择。这个等式
绘于图3中说明的依赖
R上的最大输出电流
DS （ ON）
。一些热门
由Siliconix公司的MOSFET被示为数据点。
2.0
1.5
1.0
0.5
0
– 50
50
100
0
结温（ ° C）
150
1625 F02
图2。R
DS （ ON）
与温度
10
8
Si4420
6
Si4410
4
Si4412
2
Si9936
0
0
0.02
0.06
0.04
R
DS （ ON）
()
0.08
0.10
1625 F03
图3.最大输出电流与
DS （ ON）
在V
GS
= 4.5V
由顶部和底部的MOSFET的功耗
强烈地依赖于它们各自的工作循环和
负载电流。当LTC1625是IN连接操作
连续的模式下，占空比为MOSFET是：
9
