K4S641632C
页写周期AT不同的银行@BURST长度= 4
0
时钟
CKE
CS
高
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
CMOS SDRAM
16
17
18
19
RAS
*注2
CAS
ADDR
RAA
RBB
CAA
CBB
RCC
RDD
CCc
CDD
BA
0
BA
1
A
10
/ AP
RAA
RBB
RCC
RDD
DQ
DAa0 DAa1 DAa2
DAa3
DBB0 DBB1
DBB2 DBB3
DCc0 DCC1 DDD0 DDD1 DDD2
TCDL
TRDL
WE
*注1
DQM
行活动
（A银行）
写
（A银行）
行活动
（ B-银行）
写
（ B-银行）
行活动
（ C-银行）
行活动
（ D-银行）
写
（ C-银行）
写
（ D-银行）
预充电
（所有银行）
：无所谓
*注意：
1.要中断突发由行预充电写， DQM应置掩盖无效的输入数据。
2.要中断突发写入由行预充电，同时写和预充电银行必须是相同的。
电子
