K4S641632C
12.关于突发型控制
连续计数
BASIC
模式
交错计数
随机接入列
t
CCD
= 1 CLK
CMOS SDRAM
在太太家的
3
= "0".见的突发序列表。 （BL = 4， 8）的
BL = 1，2， 4，8和全页。
在太太家的
3
= "1".见的突发序列表。 （BL = 4， 8）的
BL = 4 ， 8，在BL = 1,2交错计数=顺序计数
每个周期读取随机列地址/写命令可以实现随机
列存取。
类似于常规DRAM的扩展数据输出（EDO ）操作。
随机
模式
13.关于突发长度控制
1
2
BASIC
模式
4
8
整页
特别
模式
随机
模式
在太太家的
2,1,0
= "000" 。
在自动预充电，T
RAS
不应该被侵犯。
在太太家的
2,1,0
= "001" 。
在自动预充电，T
RAS
不应该被侵犯。
在太太家的
2,1,0
= "010" 。
在太太家的
2,1,0
= "011" 。
在太太家的
2,1,0
= "111" 。
环绕模式（无限脉冲长度）应该由突发停止停止。
RAS中断或CAS中断
在太太家的
9
= "1" 。
读突发= 1 ， 2 ， 4 ， 8 ，整版写突发= 1
在写，T自动预充电
RAS
不应该被侵犯。
t
BDL
= 1，后突发停止有效DQ为1 ， 2分别CAS延时2,3
使用突发停止命令，任何突发长度控制是可能的。
爆年底前，排在同一家银行的预充电命令停止读/写
爆与行预充电。
t
RDL
= 1与DQM ，后突发停止有效DQ为1 ， 2分别CAS延时2,3 。
在读/写突发信号自动预充电， RAS中断无法发出。
爆年底前，新的读/写站读/写突发，并开始新的
读/写爆了。
在读/写突发信号自动预充电， CAS中断无法发出。
BRSW
突发停止
打断
模式
RAS中断
（由预充电中断）
CAS中断
电子
