128MB DDR SDRAM
参数
退出自刷新到银行主动命令
退出自刷新，以读取命令
刷新间隔时间
64兆， 128兆
256Mb
输出DQS有效窗口
时钟半周期
DQS写后记的时间
QFC设置为第一DQS边沿上的读取
经过最后的DQS边QFC坚持读
写命令的写QFC延迟
写突发端上写QFC延迟
写突发端上写QFC延迟
通过预充电中断
符号
TXSA
TXSR
TREF
tQH
THP
tWPST
TQCS
tQCH
tQCSW
tQCHW
tQCHWI
1.25ns
-
-A2 （ PC266 @ CL = 2 ） -B0 （ PC266@CL=2.5 ） -A0 （ PC200 @ CL = 2 ）
民
75
200
15.6
7.8
tHPmin
-0.75ns
tCLmin
或tCHmin
0.25
0.9
0.4
-
-
最大
民
75
200
15.6
7.8
tHPmin
-0.75ns
tCLmin
或tCHmin
0.25
-
-
最大
民
80
200
15.6
7.8
tHPmin
-1.0ns
tCLmin
或tCHmin
0.25
-
-
最大
ns
周期
us
us
ns
ns
TCK
4
1
1
7
单位
记
1.1
0.6
4.0
0.5tCK
1.5tCK
0.9
0.4
1.1
0.6
4.0
0.9
0.4
1.1
0.6
4.0
TCK
TCK
ns
5
6
1.25ns
-
0.5tCK
1.5tCK
1.25ns
-
0.5tCK
1.5tCK
8 1.最大连拍数量刷新
2. tHZQ跃迁发生在相同的访问时间窗作为有效数据的转换。这些参数不是引用
到一个特定的电压电平，但指定当该装置输出不再找到。
3，具体要求是， DQS有效（高或低）或本CK边缘之前。所示的情况下（ DQS从去
High_Z为逻辑低电平）适用时，没有写以前在总线上的进步。如果先前写在进步，
DQS可以在此时是高，这取决于tDQSS 。
4.最大限制这个参数不是一个设备的限制。该设备将具有巨大的价值经营此参数，
但系统的性能（总线周转）将相应降低。
的tQCSW分5的值。是要去数据选通边缘，从过去的低1.25ns至QFC高。和的值
tQCSW最大。是0.5tcK从第一高将时钟边沿的最后一个低点后持续数据选边QFC
高。
tQCSWI最大为6的值。是1.5tcK从最后要低数据选通后的第一个高去时钟边沿
边QFC高。
7.写命令可以使用的tRCD此命令后，满意的应用。
表14. AC时序参数及规格
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REV 。 1.0月。 2. 2000
