位置：首页 > IC型号导航 > 首字符K型号页 > 首字符K的型号第169页 > K4H560438E-NC > K4H560438E-NC PDF资料 > K4H560438E-NC PDF资料1第16页
DDR SDRAM 256Mb的电子芯片（ X4，X8 ）
B3
(DDR333@CL=2.5))
民
模式寄存器设置循环时间
DQ & DM设置时间DQS
DQ & DM保持时间DQS
控制&地址输入脉冲宽度
DQ & DM输入脉冲宽度
掉电退出时间
退出自刷新非读命令
退出自刷新，以读取命令
刷新间隔时间
输出DQS有效窗口
时钟半周期
数据保持倾斜因子
DQS写后记的时间
主动阅读与自动预充电
命令
Autoprecharge写恢复+
预充电时间
超过tMRD
TDS
TDH
tIPW
tDIPW
tPDEX
tXSNR
tXSRD
tREFI
tQH
THP
TQHS
tWPST
陷阱
0.4
18
（ tWR的/ TCK ）
+
（TRP / TCK ）
THP
-tQHS
tCLmin
或tCHmin
12
0.45
0.45
2.2
1.75
6
75
200
7.8
-
-
0.55
0.6
0.4
20
（ tWR的/ TCK ）
+
（TRP / TCK ）
THP
-tQHS
tCLmin
或tCHmin
DDR SDRAM
A2
(DDR266@CL=2.0)
民
15
0.5
0.5
2.2
1.75
7.5
75
200
7.8
-
-
0.75
0.6
0.4
20
（ tWR的/ TCK ）
+
（TRP / TCK ）
THP
-tQHS
tCLmin
或tCHmin
参数
符号
B0
(DDR266@CL=2.5))
民
15
0.5
0.5
2.2
1.75
7.5
75
200
7.8
-
-
0.75
0.6
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
TCK
us
ns
ns
ns
TCK
记
最大
最大
最大
J，K
J，K
8
8
4
11
10, 11
11
2
tDAL
TCK
13
， 2005年修订版1.3月
