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DDR SDRAM堆叠512Mb的电子芯片（ X4 / X8 ）
交流工作条件
参数/条件
输入高电平（逻辑1 ）电压， DQ ， DQS和DM信号
输入低电平（逻辑0 ）电压，DQ ， DQS和DM信号。
输入差分电压， CK和/ CK投入
输入交叉点电压， CK和/ CK投入
符号
VIH （AC）的
VIL （AC）的
VID （AC）的
VIX （AC）的
0.7
0.5*VDDQ-0.2
民
VREF + 0.31
VREF - 0.31
VDDQ+0.6
Max-10
DDR SDRAM
单位
V
V
V
V
记
1
2
0.5*VDDQ+0.2
注意事项：
1. VID是CK的输入电平上和/ CK的输入电平之间的差的量值。
2. VIX的值预计相当于0.5 * VDDQ传送设备的，并且必须跟踪变化的相同的DC电平。
AC过冲/下冲规范地址和控制引脚
参数
允许的最大过冲峰值
允许的最大冲峰值
过冲信号和VDD之间的区域必须小于或等于
下冲信号和GND之间的区域必须小于或等于
规范
DDR333
待定
待定
待定
待定
DDR200/266
1.5 V
1.5 V
4.5 V -NS
4.5 V -NS
VDD
5
4
3
2
伏特（ V）
1
0
-1
-2
-3
-4
-5
0
冲
最大振幅= 1.5V
面积= 4.5V -NS
最大振幅= 1.5V
GND
0.6875
1.5
2.5
3.5
4.5
5.5
6.3125
7.0
0.5
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
6.5
TIMS （ NS ）
冲
AC过冲/下冲的定义
1.0版七月。 2003
