位置：首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第784页 > ISL6567EVAL1 > ISL6567EVAL1 PDF资料 > ISL6567EVAL1 PDF资料3第17页
ISL6567
一般应用设计指南
I
BIAS_MAX
第I （％
VREG_MAX
)
90%
本设计指南旨在提供一个高层次
的必要的步骤说明来创建一个多相
功率转换器。它假定读者熟悉
下面的许多基本技能和技巧引用。在
除了本指南， Intersil公司提供完整的参考
设计，包括原理图的材料，票据和
例如电路板布局的典型应用。
ISL6567
外部电路
PVCC
POR
电路
VCC
V
IN
= 1V
80%
V
= 2V
IN
V
IN
= 3V
70%
V
IN
= 4V
60%
50%
40%
30%
20%
10%
V
IN
= 5V
V
IN
= 6V
V
IN
= 7V
V
IN
= 8V
6
7
8
9
V
INMIN
(V)
10
11
V
IN
R
BIAS
0%
E / A
-
+
VREF
图18.归一化最大偏置电流
获得被动配置VS
输入电压范围特性;
V
VCC
= 5V
VREG
分流REG
最大偏置电流，我
BIAS
，即可以通过下列方式获得
内部并联稳压器和一个简单的外部电阻
其特征在于在图18中，也可以使用测定
下面的等式：
V
INMIN
–
V
VCC
-
I
BIASMAX
=
I
VREGMAX
-------------------------------------------
–
V
V
INMAX
图17.内部并联稳压器可连接使用
外部电阻（ PASSIVE
配置）
VCC
BIAS SUPPLY注意事项
该ISL6567具有一个片上并联稳压器可
那颗高达100mA （最小） 。这种集成可调节
可用于生产所需的偏置电压为
控制器和MOSFET的。集成的稳压器可以
直接利用，通过一个适当尺寸的电阻器，如图
图17中，或者通过一个外部NPN晶体管和附加
电阻器时，无论所需要的电流或功率感
耗散变得太大，里面的处理
ISL6567在给定的操作环境。
在确定可行性和选择所述的第一步骤
合适的偏置稳压器配置包括确定
由该电路所需的最大偏置电流。而
由ISL6567所需的偏置电流被列在
电动
特定网络阳离子
表中，通过所需要的偏置电流
控制MOSFET的需求来计算。以下
公式有助于确定这种偏差的当前功能
所有的控制MOSFET的栅极电荷为5V的总和
V
GS
, Q
G总和
和开关频率，男
SW
:
I
B
Q
G总和
F
SW
I
BIAS
=
I
VCC
+
I
B
为了举例说明的用途，用于将输入电压范围为10V
至14V ，找到的交集
V
IN
= 4V曲线与
V
INMIN
= 10V标记和投影在Y轴上的结果
发现的最大偏置电流获得的（约
最大电流获得的通过集成的56％的
并联稳压器，我
VREG_MAX
).
一旦可获得的最大偏置电流，我
BIAS_MAX
，是
确定的，并提供其大于偏置电流，
I
BIAS
，由该电路需要，R
分流
可确定
基于最低输入电压V
INMIN
:
V
INMIN
–
V
VCC
R
BIAS
= ------------------------------------------
I
BIAS
图19有助于基于所述快速电阻的选择
以前的指南介绍。这样划分的价值
通过最大期望偏置电流得到的，我
BIAS
，以
得到实际的电阻值被使用。
总所需的偏置电流，我
BIAS
，总结了ISL6567的
偏置电流，我
VCC
到所需的MOSFET时，我
B
.
17
