ISL6565A ， ISL6565B
连续的周期，比较器触发转换器到
关机。
在过流关断开始时，所述控制器
将所有的PWM信号处于高阻抗状态
指挥Intersil的MOSFET驱动器IC可关闭两个
上部和下部的MOSFET。该系统保持在这个状态
一段4096个开关周期。如果控制器是静止
在此等待期结束启用，它会尝试软
开始（见图14）。如果故障仍然存在，跳闸
重试周期会一直继续下去，直到控制器
禁用或故障被清除。注意，能量
在旅途重试骑自行车传递比在少得多
满负荷运转，所以不存在热危害。
如果通孔的MOSFET和电感器，可以使用更高的
每相的电流是可能的。如遇有板
空间被限制的约束，目前可以被推为
高达40A每相，但这些设计要求的散热器
和强制空气冷却的MOSFET ，电感器和耐热
散热表面。
MOSFET的
MOSFET的选择取决于电流每
MOSFET将被要求进行，开关频率，
MOSFET的能力来散热，而
可用性和散热和气流的性质。
较低的MOSFET功率计算
在较低的MOSFET的计算功率损耗为
简单的，因为几乎所有的下MOSFET的损耗是
由于电流通过沟道电阻进行
(r
DS （ ON）
） 。在公式20 ，我
M
是最大连续
输出电流，I
PP
是峰 - 峰值电感器电流（见
方程1） ，d为占空比（Ⅴ
OUT
/V
IN
).
I
L, 2
(
1
–
d
)
I
M
2
PP
P
低
,
1
= r
DS
(
ON
)
-----
(
1
–
d
)
+ --------------------------------
-
12
N
（当量20）的
输出电流50A / DIV
0A
输出电压，
500mV/DIV
0V
2ms/DIV
图14.过流行为的打嗝模式
F
SW
= 500kHz的
一个附加项可以被加入到较低的MOSFET损耗
方程来解释过程中累积的额外损失
当电感电流流过的死区时间
低级 - MOSFET的体二极管。这个术语是依赖于
在I二极管的正向电压
M
, V
D（上）
时，开关
频率f
S
，和的死区时间的长度，叔
d1
和T
d2
在
开头和下MOSFET的导通的端
间隔分别。
I
I
M
M
I
PP
t
P
低
,
2
= V
D
(
ON
)
f
S
----- + I
PP
t
-
-
-
N- --------
d1
+
-----
–
--------
d2
2
N
2
（当量21）的
通用设计指南
本设计指南旨在提供一个高层次
的必要的步骤说明来创建一个多相
功率转换器。它假定读者熟悉
下面的许多基本技能和技巧引用。在
除了本指南， Intersil公司提供完整的参考
设计，包括原理图，物料清单和例子
电路板布局的所有常见的微处理器应用。
总的最大功率耗散在每个MOSFET低
由P的总和近似
LOW,1
和P
LOW,2
.
上MOSFET功率计算
除了与R
DS （ ON）
损耗，上层的很大一部分
MOSFET的损失是由于穿过传导电流
输入电压（V
IN
）切换过程中。由于基本上
上部-MOSFET损耗较高的部分依赖
上的开关频率，所述功率的计算是更
复杂的。上MOSFET损耗可分为
涉及上部MOSFET的独立部件
开关时间，较低的MOSFET的体二极管反接
恢复电荷，Q
rr
和上部MOSFET
DS （ ON）
导通损耗。
当上MOSFET关断，下MOSFET管呢
不导通，电感电流的任何部分，直到
电压的相位节点低于地面。一旦
下管开始导通，电流在上
MOSFET降到零作为当前在较低的MOSFET
倾斜上升到承担全部的电感电流。在公式22 ，
功率级
在设计的多相转换器的第一个步骤是
确定相数。这种决心
很大程度上取决于成本分析而这又取决于
在系统约束不同于一个设计方案到下一个。
原则上，设计师将与有关当局
组件可以安装在电路的两侧
板，通孔元件是否允许时，
总的电路板空间，可用于电源电路和
负载电流的最大时间量。一般来说，
最经济的解决方案是，其中每一个
25和30A之间的相位处理。所有表面贴装
设计将趋向于这个电流范围的低端。
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