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CMOS静态RAM
256K （ 32K ×8位）
集成设备技术有限公司
IDT71256S
IDT71256L
产品特点：
高速的地址/片选时间
- 军事：25 /30 /四十五分之三十五/ 55 /八十五分之七十/ 100/ 120 / 150ns的（最大）
- 商业：20 /25/ 35 /为45nS （最大值）低功耗只。
低功耗运行
电池备份操作 - 2V的数据保留
拥有先进的高性能CMOS生产
技术
输入和输出直接TTL兼容
提供标准的28引脚（ 300或600万）陶瓷
DIP ， 28引脚（ 600 mil）的塑料DIP ， 28引脚（ 300 mil）的SOJ
和32引脚的LCC
- 军工产品符合MIL -STD - 883 ， B类
描述：
该IDT71256是262,144位高速静态RAM
组织结构为32K x 8，它是采用IDT的高制作
高性能，高可靠性的CMOS技术。
地址存取时间快至20ns可与
只有350mW的功耗（典型值） 。该电路还
提供了降低功耗的待机模式。当
CS
变为高电平时，
该电路将自动进入，并保持在一个低功率
待机状态下，只要
CS
仍然很高。在全备份
模式下，低功耗器件功耗小于15μW ，
典型的。此功能提供了显著的系统级
电源和冷却的节省。低功率（L）的版本也是
提供电池备份数据保持能力，其中
电路一般工作时掀起了2V功耗仅为5μW
电池。
该lDT71256封装在一个28引脚（ 300或600万）
陶瓷DIP封装， 28引脚300密耳J-弯SOLC ，以及28引脚（ 600
密耳）塑料DIP和32引脚LCC提供高板级
封装密度。
该IDT71256军事RAM是符合制造
符合MIL -STD - 883 ， B类的最新版本，使之
非常适合军用温度要求苛刻的应用
最高级别的性能和可靠性。
功能框图
A
0
地址
解码器
A
14
262,144位
存储阵列
V
CC
GND
I / O
0
输入
数据
电路
I / O
7
I / O控制
CS
OE
WE
控制
电路
2946 DRW 01
IDT标志是集成设备技术，Inc.的注册商标。
军用和商用温度范围
1996
集成设备技术有限公司
1996年8月
DSC-2946/7
7.2
1
