IDT71128 CMOS静态RAM
1兆欧（ 256K ×4位）引脚革命
商用和工业温度范围
引脚配置
NC
A
0
A
1
A
2
A
3
CS
I / O
0
V
CC
GND
I / O
1
WE
A
4
A
5
A
6
A
7
NC
1
32
2
31
3
30
4
29
5
28
6 SO32-3 27
7
26
8
25
24
9
23
10
22
11
21
12
13
20
14
19
15
18
16
17
A
17
A
16
A
15
A
14
A
13
OE
I / O
3
GND
V
CC
I / O
2
A
12
A
11
A
10
A
9
A
8
NC
3483 DRW 02
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
(2)
T
A
T
BIAS
T
英镑
P
T
I
OUT
等级
与端电压
对于GND
工作温度
温度
在偏置
存储
温度
功耗
直流输出电流
价值
-0.5到+7.0
(2)
0至+70
-55到+125
-55到+125
1.25
50
单位
V
o
o
C
C
C
o
W
mA
3483 TBL 02
SOJ
顶视图
注意事项：
1.强调超过绝对最大额定值可能会导致
永久损坏设备。这是一个额定值只和功能的操作
该设备在这些或以上的任何其他条件，在操作指示的
本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能会影响其可靠性。
2. V
TERM
不得超过VCC + 0.5V。
电容
真值表
CS
L
L
L
H
V
HC
(3)
OE
L
X
H
X
X
(1,2)
(T
A
= + 25 ° C，F = 1.0MHz的， SOJ包装）
符号
I / O
数据
OUT
数据
IN
高-Z
高-Z
高-Z
功能
读数据
写数据
输出禁用
取消选择 - 待机（我
SB
)
取消选择 - 待机（我
SB1
)
3483 TBL 01
参数
(1)
输入电容
I / O容量
条件
V
IN
= 3DV
V
OUT
= 3DV
马克斯。
8
8
单位
pF
pF
3483 TBL 03
WE
H
L
H
X
X
C
IN
C
I / O
注意：
1.该参数由器件特性保证，但未经生产测试。
注意事项：
1. H = V
IH
中，L = V
IL
，X =无关。
2. V
LC
= 0.2V, V
HC
= V
CC
-0.2V.
3.其他投入
≥V
HC
or
≤V
LC
.
推荐工作
温度和电源电压
GRADE
广告
产业
温度
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
GND
0V
0V
V
CC
5.0V ± 10%
5.0V ± 10%
3483 TBL 04
建议的直流工作
条件
符号
V
CC
GND
V
IH
V
IL
参数
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
分钟。
4.5
0
2.2
-0.5
(1)
典型值。
5.0
0
____
____
马克斯。
5.5
0
V
CC
+0.5
0.8
单位
V
V
V
V
3483 TBL 05
注意：
1. V
IL
（分） = -1.5V为脉冲宽度小于10ns的，每循环一次。
6.42
2
