IDT71128 CMOS静态RAM
1兆欧（ 256K ×4位）引脚革命
商用和工业温度范围
AC电气特性
(V
CC
= 5.0V ± 10 ％ ，商用和工业温度范围）
71128S12
符号
读周期
t
RC
t
AA
t
ACS
t
CLZ
(1)
t
CHZ
(1)
t
OE
t
OLZ
(1)
t
OHZ
(1)
t
OH
t
PU
(1)
t
PD
(1)
写周期
t
WC
t
AW
t
CW
t
AS
t
WP
t
WR
t
DW
t
DH
t
OW
(1)
t
WHZ
(1)
写周期时间
地址有效到写结束
片选写的结束
地址建立时间
把脉冲宽度
写恢复时间
数据有效到结束时的写
数据保持时间
输出从主动结束了，写
写使能在高阻输出
12
10
10
0
10
0
7
0
3
0
____
____
____
____
____
____
____
____
71128S15
分钟。
马克斯。
71128S20
分钟。
马克斯。
单位
参数
分钟。
马克斯。
读周期时间
地址访问时间
芯片选择访问时间
片选在低Z输出
取消芯片输出高-Z
输出使能到输出有效
输出使能，以在低Z输出
输出禁用输出高阻
从地址变更输出保持
芯片的选择上电时间
芯片取消掉电时间
12
____
____
____
15
____
____
____
20
____
____
____
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
12
12
____
15
15
____
20
20
____
3
0
____
3
0
____
3
0
____
6
6
____
7
7
____
8
8
____
0
0
4
0
____
0
0
4
0
____
0
0
4
0
____
5
____
5
____
7
____
____
____
____
12
15
20
15
12
12
0
12
0
8
0
3
0
____
____
____
____
____
____
____
____
20
15
15
0
15
0
9
0
4
0
____
____
____
____
____
____
____
____
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
3483 TBL 09
____
____
____
5
5
8
注意：
1.此参数保证与交流负载（图2）器件特性，但不生产测试。
6.42
4
