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CY62157DV30
的MoBL
电容
[11, 12]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= V
CC （典型值）
马克斯。
10
10
单位
pF
pF
热阻
[11]
参数
Θ
JA
Θ
JC
描述
热阻
（结到环境）
热阻
（结点到外壳）
测试条件
静止的空气中，焊接在一个3 × 4.5英寸，
四层印刷电路板
BGA
72
8.86
TSOP II
75.13
8.95
TSOP I
74.88
8.6
单位
° C / W
° C / W
交流测试负载和波形
[13]
V
CC
产量
30 PF / 50 pF的
R1
V
CC
GND
R2
10%
所有的输入脉冲
90%
90%
10%
下降时间= 1 V / ns的
上升时间= 1 V / ns的
INCLUDING
夹具
范围
相当于：戴维南等效
R
TH
产量
V
参数
R1
R2
R
TH
V
TH
2.50V
16667
15385
8000
1.20
3.0V
1103
1554
645
1.75
单位
V
数据保持特性
（在整个工作范围内）
参数
V
DR
I
CCDR
描述
V
CC
数据保留
数据保持电流
V
CC
= 1.5V
CE
1
＆ GT ; V
CC
- 0.2V ，CE
2
＆ LT ; 0.2V ，
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V
工业（ L）
工业（ LL ）
汽车（ L）
0
t
RC
条件
分钟。
1.5
10
4
25
ns
ns
典型值。
[2]
马克斯。
单位
V
A
t
CDR[11]
t
R[14]
芯片取消到数据
保留时间
手术恢复时间
注意事项：
11.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
12.在CE输入电容
2
在FBGA和48TSOPI包并在44TSOPII包的BHE引脚引脚为15 pF的。
为45 ns的一部分13.测试条件是30 pF的负载电容。
14.全面的设备运行需要的线性V
CC
从V坡道
DR
到V
CC（分钟）
> 100我们还是稳定在V
CC（分钟）
> 100美元。
文件编号： 38-05392牧师* E
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