CY62137CV25 /三十三分之三十零的MoBL
CY62137CV的MoBL
2M （ 128K ×16 ）静态RAM
特点
超高速： 55纳秒和70纳秒
电压范围：
- CY62137CV25 ： 2.2V - 2.7V
- CY62137CV30 ： 2.7V - 3.3V
- CY62137CV33 ： 3.0V - 3.6V
- CY62137CV ： 2.7V - 3.6V
与CY62137V引脚兼容
超低有功功率
- 典型工作电流：1.5毫安， F = 1兆赫
- 典型工作电流： 5.5毫安@频率= F
最大
(70-ns
速度）
低和超低待机功耗
易内存扩展CE和OE特点
取消时自动断电
CMOS的最佳速度/功耗
48球FBGA封装提供
在便携式应用，如蜂窝长焦附加镜的生活（的MoBL ）
手机。该器件还具有自动省电为特色的
TURE由80％显著降低功耗
当地址不切换。该设备也可以放
进入待机模式，功耗降低超过
当取消99 ％ （ CE为高或都BLE和BHE的
HIGH ） 。的输入/输出管脚（ I / O的
0
通过I / O
15
）置于
在高阻抗状态时：取消选择（ CE HIGH ） ，输出
看跌期权被禁用（ OE为高电平） ，这两个高字节使能和字节
低启用已禁用（ BHE ， BLE HIGH） ，或写在
操作（ CE低， WE LOW ） 。
写设备通过采取芯片使能实现
（ CE）和写使能（ WE）输入低电平。如果低字节使能
（ BLE ）为低电平，然后从I / O引脚（数据I / O
0
通过I / O
7
） ，是
写入的地址引脚指定的位置（A
0
至A
16
） 。如果高字节使能（ BHE ）为低电平，则数据
从I / O引脚（ I / O
8
通过I / O
15
）被写入的位置
在地址引脚指定的（A
0
至A
16
).
从设备读通过取芯片完成
使能（ CE）和输出使能（ OE ）为低，同时迫使
写使能（ WE） HIGH 。如果低字节使能（ BLE ）低，
然后从存储的位置数据由地址指定
引脚将出现在I / O
0
到I / O
7
。如果高字节使能（ BHE ）是
低，再从内存中的数据将出现在I / O
8
到I / O
15
。看
本数据手册的后面一个完整的真值表
读写模式的描述。
功能说明
[1]
该CY62137CV25 / 30 /33和CY62137CV是高性
曼斯CMOS静态RAM， 16组织为128K字
位。这些器件具有先进的电路设计，提供
超低的有功电流。这是理想的提供更多的电池
逻辑框图
数据驱动因素
A
10
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
10
行解码器
128K ×16
RAM阵列
2048 x 1024
检测放大器
I / O
0
- I / O
7
I / O
8
- I / O
15
列解码器
BHE
WE
CE
OE
BLE
CE
BHE
BLE
A
11
战俘下移
er
电路
注意：
1.为了达到最佳实践建议，请参考上http://www.cypress.com赛普拉斯应用笔记“系统设计指南” 。
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05201牧师* D
3901北一街
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
圣荷西
CA 95134 408-943-2600
修订后的2002年9月20日
