CY62137CV25 /三十三分之三十零的MoBL
CY62137CV的MoBL
数据保持特性
（在整个工作范围内）
参数
V
DR
I
CCDR
描述
V
CC
数据保留
数据保持电流
V
CC
= 1.5V
LL
CE > V
CC
– 0.2V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
< 0.2V SL
0
t
RC
条件
分钟。
1.5
1
典型值。
[5]
马克斯。
V
CCmax
6
4
A
ns
ns
单位
V
t
CDR[6]
t
R[7]
芯片取消到数据保留时间
手术恢复时间
数据保存波形
[8]
数据保持方式
V
CC
CE或
V
CC（分钟）
t
CDR
V
DR
> 1.5 V
V
CC（分钟）
t
R
BHE.BLE
开关特性
在整个工作范围
[9]
55纳秒
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
DBE
t
LZBE[11]
t
HZBE
写周期
[13]
t
WC
t
SCE
写周期时间
CE低到写结束
55
45
70
60
ns
ns
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
[10]
OE高来高-Z
[10, 12]
CE低到低Z
[10]
CE高来高-Z
[10, 12]
CE为低电时
CE高到掉电
BHE / BLE低到数据有效
BHE / BLE低到低Z
[10]
BHE / BLE高来高-Z
[10, 12]
5
20
0
55
55
5
25
10
20
0
70
70
5
20
10
25
10
55
25
5
25
55
55
10
70
35
70
70
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
民
最大
民
70纳秒
最大
单位
注意事项：
7.全设备交流操作需要线性的V
CC
从V坡道
DR
到V
CC（分钟）
＆ GT ; 100
s
或稳定在V
CC（分钟）
＆ GT ; 100
s.
8. BHE.BLE既BHE和BLE的和。芯片可以通过禁用该芯片使能信号或通过禁用这两个BHE和BLE被取消。
9.测试条件假设为5纳秒或更少的信号转换时间，定时V的基准水平
CC （典型值）。
0 / 2 ，输入脉冲电平到V
CC （典型值）。
的，和输出负载
指定I
OL
/I
OH
和30 pF负载电容。
10.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZBE
小于吨
LZBE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
为
任何给定的设备。
11.如果两个字节使能切换起来这个值是10纳秒。
12. t
HZOE
, t
HZCE
, t
HZBE
和叔
HZWE
当输出进入高阻抗状态转变进行测定。
13.存储器的内部写入时间由WE的V重叠， CE =定义
IL
， BHE和/或BLE = V
IL
。所有的信号必须是活动的发起写任何
这些信号可以终止执行的写操作变为无效。的数据输入的设置和保持时间应参考该终止信号的边缘
写。
文件编号： 38-05201牧师* D
第13个5
