300
50
T
j
= 25°C
C2V7
C3V9
C5V6
C6V8
C3V3
P
D
，功耗（毫瓦）
C4V7
40
I
Z
，齐纳电流（毫安）
C8V2
200
30
20
100
10
0
0
100
T
A
，环境温度，℃
图。 1.功率降额曲线
200
测试电流I
Z
5.0mA
0
0
1
3
4
5
6
8
9
7
V
Z
齐纳电压（V）
图。 2齐纳击穿特性
2
10
30
T
j
= 25°C
1000
C10
C12
T
j
= 25 °C
I
Z
，齐纳电流（毫安）
C
T
，总电容（PF ）
V
R
= 1V
V
R
= 2V
20
C15
100
V
R
= 1V
C18
10
测试电流I
Z
5mA
C22
C27
C33
C39
C36
V
R
= 2V
10
1
10
100
0
0
10
20
30
V
Z
齐纳电压（V）
图。 3.齐纳击穿特性
40
V
Z
，额定齐纳电压（ V）
图。 4总电容VS额定齐纳电压
DS30093牧师9 - 2
3 3
www.diodes.com
BZT52C2V0S - BZT52C39S
