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程序存储器锁定位
该AT89C52具有可留下外部器件了三个锁定位
编程（ U），或可以被编程（P），以获得额外
tional特性列于下表中。
V
PP
= 12V
顶侧标记
AT89C52
xxxx
YYWW
(030H)=1EH
(031H)=52H
(032H)=FFH
V
PP
= 5V
AT89C52
xxxx-5
YYWW
(030H)=1EH
(031H)=52H
(032H)=05H
锁定位保护模式
程序锁定位
LB1
1
2
U
P
LB2
U
U
LB3
U
U
保护类型
没有程序锁功能。
MOVC指令执行
从外部程序
内存从禁用
取代码字节从
内部存储器， EA为
采样和锁存的复位，
和进一步的编程
闪存被禁用。
模式2相同，但确认是
也被禁用。
一样的模式3 ，但外部
执行也将被禁用。
签名
3
4
P
P
P
P
U
P
当锁定位1被编程，在EA引脚上的逻辑电平
采样和复位过程中被锁存。如果该设备是pow-
ERED时没有复位，锁存器初始化为一个随机
值，并保持该值直到复位被激活。该
EA的锁存值必须与当前的逻辑电平
在该销，以使设备正常工作。
Flash进行编程
该AT89C52通常随片上闪存
在擦除状态的存储器阵列（即，内容为FFH ）
并准备进行编程。编程接口
接受任一高电压（ 12伏）或低电压
(V
CC
）程序使能信号。低电压编程
明模式提供了编程的便捷方式
AT89C52的用户的系统内，而高电压
编程模式与传统的三阶兼容
党的Flash或EPROM编程器。
该AT89C52附带任何高电压或
低电压编程模式下启用。各
顶侧标记和设备签名代码列在
下表。
AT89C52的程序存储阵列编程字节逐
字节中的任一编程模式。
要设定任何非
在片内Flash存储器的空白字节，整个存储器
必须使用芯片擦除模式被删除。
编程算法：
前编程
AT89C52 ，地址，数据和控制信号应当是
根据Flash编程模式表设置和
图9和图10进行编程的AT89C52 ，采取跟着
降脂措施。
1.输入该地址的存储位置
线。
2.输入数据线上相应的数据字节。
3.激活的控制信号的正确组合。
4.提高EA / V
PP
至12V的高电压编程
模式。
5.脉冲ALE / PROG一次编程的Flash中的字节
阵列或锁定位。字节写周期是自定时
并且通常需要不超过1.5毫秒以上。重复步骤
1至5 ，改变了地址和数据的
整个阵列或直到目标文件的末尾。
数据查询：
该功能AT89C52数据轮询，从而提供与
泄漏的一写周期的结束。在写周期期间，一个
未遂读取写入的最后一个字节，将导致在COM
二进制补上PO.7写入数据。一旦写周期
已经完成时，真正的数据是对所有的输出有效，并且
下一个周期可以开始。数据轮询可能在任何时刻开始
后一个写周期已被启动。
READY / BUSY ：
字节编程过程还可以
由RDY / BSY输出信号进行监测。 P3.4被拉
ALE后低变高的编程过程中，指示
忙。 P3.4被拉高时再编程
做了指示就绪。
程序校验：
如果锁定位LB1和LB2一直没
编程的，编程的代码数据可以被读回
通过验证的地址线和数据线。锁定位
不能直接验证。的锁定位验证
通过观察它们的功能被启用来实现。
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AT89C52
