编程
FL灰
该AT89C51RC随片上闪存阵列准备要亲
编程。编程接口需要一个高电压（ 12伏）的程序使
信号，并与传统的第三方Flash或EPROM编程器兼容。
该AT89C51RC代码存储器阵列进行编程逐字节。
编程算法：
前编程AT89C51RC ，地址，数据，
和控制信号应设置根据Flash编程模式表
与图10和图11进行编程的AT89C51RC ，请执行以下步骤：
1.输入的地址线的存储位置。
2.输入数据线上相应的数据字节。
3.激活的控制信号的正确组合。
4.提高EA / V
PP
至12V 。
5.脉冲ALE / PROG一次编程闪存阵列或锁定位字节。该
字节写周期是自定时的，通常需要不超过50微秒。重复
步骤1至5 ，改变地址和数据在整个阵列或直到
目标文件的末尾。
芯片擦除序列：
前AT89C51RC可以重新编程，芯片擦除
操作需要来执行。要清除AT89C51RC的内容，请按照以下
序列：
1.抬起V
CC
至6.5V 。
2.脉冲ALE / PROG一次（ 200 ns的时间 - 500纳秒） ，并等待150毫秒。
3.电源V
CC
下，上至6.5V 。
4.脉冲ALE / PROG一次（ 200 ns的时间 - 500纳秒） ，并等待150毫秒。
5.电源V
CC
向下和向上。
数据查询：
该AT89C51RC酒店设有数据轮询，以指示一个写操作的的结束时
周期。在写周期期间，一个未遂读取写入将导致最后一个字节的
配合上P0.7写入数据。一旦写周期已经完成，真
数据是对所有的输出有效，并且下一个周期可以开始。数据轮询可以开始任何
后一个写周期时间已经启动。
READY / BUSY ：
字节编程的进展也可以由被监控的
RDY / BSY输出信号。 P3.0 ALE之后被拉低编程过程中变高
显示BUSY 。 P3.0被拉高时再编程做是为了显示READY 。
程序校验：
如果锁定位LB1和LB2没有进行编程，编程
代码数据可通过验证的地址线和数据线被读回。状态
个人锁定位可以直接通过阅读他们回来进行验证。
读签名字节：
签名的字节以相同的步骤，读
位置000H ， 100H ， 200H和一个正常的验证，所不同的是P3.6和P3.7
必须拉至逻辑低。是返回的值如下所示：
（ 000H ） = 1EH表示由Atmel公司生产的
(100H) = 51H
（ 200H ） = 07H表示89C51RC
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AT89C51RC
1920B–MICRO–11/02
