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EEPROM数据存储器
描述
1 KB的片上EEPROM存储器块位于地址0000H到03FFh单元
的ERAM存储器空间中，并选择在EECON寄存器中设置的控制位。
在EEPROM存储器的读操作，是用MOVX指令。
在EEPROM存储器中的物理写操作完成两个步骤：在列写入数据
锁存器和所有数据的传输锁存到EEPROM存储器行（编程） 。
写入的页的数据的数量可以从1到128个字节（页面大小）而变化。
在编程时，只写入在列锁存器中的数据进行编程和第九
位被用于获得此功能。这提供了进行编程整个MEM-的能力
储器的字节，由页或者由多个页面中的字节数。事实上，每一个第九位被置位
当编写相应的字节一排，所有这些第九位被复位后
完整的EEPROM行的写作。
在列写数据
锁存器
数据被写入由字节到列锁存器作为外部RAM的存储器。在对
数据指针的11个地址位，在4个MSB是用于选页（行）和7
用于字节选择。在两个EEPROM编程会话，所有的
在列锁存器的地址必须保持在同一页上，这意味着高4位
不能改变。
下面的步骤用来写入到列锁存器：
EECON寄存器的设置位EEE
加载DPTR的地址写
存储一个寄存器写入数据
执行MOVX @ DPTR ，A
如果需要的话，循环中的最后三个指令，直到一个128字节的页的结束
程序设计
EEPROM的编程包括以下操作：
在列锁存器写入一个页面中的一个或多个字节。通常情况下，所有字节
必须属于同一个页面;如果没有，在第一页的地址将被锁存并在
别人丢弃。
通过写入控制顺序（ 54H接着A4H ）至发射编程
在EECON寄存器。
EEBUSY标志EECON ，然后由硬件设置以表明程序是
的进步，该EEPROM段不可用于读取。
节目的最后是由明确的EEBUSY标志的硬件表示。
读数据
下面的过程用于读取存储在EEPROM存储器中的数据：
EECON寄存器的设置位EEE
拉伸MOVX指令，以容纳该列的慢的存取时间锁存器（设定位
M0 AUXR寄存器）
加载DPTR的地址来读取
执行MOVX A ， @ DPTR
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AT89C5130A/31A-M
4337C–USB–02/05
