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项目周期特点
符号
t
BP
t
AS
t
AH
t
DS
t
DH
t
WP
t
WPH
t
EC
参数
字编程时间
地址建立时间
地址保持时间
数据建立时间
数据保持时间
把脉冲宽度
写脉冲宽高
擦除周期时间
10
50
50
10
100
100
10
民
最大
50
单位
s
ns
ns
ns
ns
ns
ns
秒
项目周期波形
项目周期
OE
CE
t
WP
WE
t
AS
A0-A16
5555
t
DS
数据
AA
55
A0
输入
数据
t
WPH
t
BP
t
AH
2AAA
t
DH
5555
地址
5555
AA
部门或芯片擦除周期波形
OE
(1)
CE
t
WP
WE
t
AS
A0-A16
5555
t
DS
数据
AA
WORD 0
55
WORD 1
80
WORD 2
AA
WORD 3
55
WORD 4
注3
WORD 5
t
AH
2AAA
t
DH
5555
5555
2AAA
注2
t
EC
t
WPH
注意事项：
1.
2.
3.
OE要高只有当我们和CE都很低。
对于芯片擦除，地址应为5555扇区擦除，地址取决于部门是被删除。 （见
注4下命令的定义。 ）
对于芯片擦除，数据应该是10
H
和用于扇区擦除，数据应为30
H
.
8
AT49F2048
