位置：首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第230页 > AT49F2048-12RC > AT49F2048-12RC PDF资料 > AT49F2048-12RC PDF资料1第2页
从EPROM读取;它有标准的CE， OE和WE
输入端，以避免总线连接。该AT49F2048有5电压
只是， 2兆位闪存组织为128K字
争。重新编程的AT49F2048执行
由第一擦除数据的一个块，然后编程一个
字由字的基础。
该设备是通过执行擦除命令擦除
序列;设备内部控制擦除操作
化。所述存储器被划分成三个块进行擦除
操作。有两个8K字参数块节
tions和一个扇区组成的引导块和所述的
主存储器阵列块。该AT49F2048编程
上一个字逐个字为基础。
该设备具有保护数据在引导的能力
块;这个功能是通过一个命令序列启用。
一旦引导块编程锁定功能
使能时，在所述引导块中的数据不能被改变
在5.5伏或更低的输入电平被使用。典型的
方案的数目和擦除周期中超过10000
周期。
可选的8K字引导块部分包括重现
编程锁定功能，以提供数据的完整性。该
引导扇区被设计为包含用户的安全代码，
当启用该功能，引导扇区被保护
被重新编程。
框图
设备操作
阅读：
该AT49F2048访问像EPROM 。
当CE和OE为低电平和WE是高电平时，数据存储
在由地址引脚确定的存储位置是
上认定的输出。的输出被放置在高
阻抗状态，每当CE或OE为高电平。这种双行
控制为设计人员提供灵活性，避免总线conten-
化。
命令序列：
当该装置是第一pow-
ERED上它会被复位到读或待机模式
根据控制线路输入状态。为了
以执行其它功能的装置，一系列命令的
序列被输入到设备中。命令
序列显示的命令定义表中
（ I / O8 - I / O15都不在乎投入的命令代码） 。
命令序列被写入通过应用低
脉冲的WE或CE输入与CE或WE低（ respec-
tively ）和OE高。地址锁存在下降
边缘CE或WE的，最后的为准。该数据是
通过CE或WE的第一个上升沿锁存。标准
微处理机写定时被使用。在某些地区地址
2
在命令序列中使用系统蒸发散不会受
输入命令序列。
RESET ：
复位输入管脚提供缓和一些系
统的应用程序。当RESET是处于逻辑高电平时，该
装置处于其标准操作模式。在一个低的水平
RESET输入暂停，本设备操作和看跌期权
该装置在高阻抗状态输出。当
高水平重新生效的RESET引脚，该装置
返回到读取或待机模式时，根据
的控制输入端的状态。通过施加12V的
±
0.5V输入
信号RESET引脚上的引导块阵列可重现
编程即使引导块程序锁定功能
已启用（见引导块编程锁定
覆盖部分） 。
删除：
前一个字可以被重新编程，就必须
被擦除。的存储器位的擦除状态是一个逻辑
“1”。整个装置可以一次使用一个被擦除的
6字节的软件代码。
AT49F2048
