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项目周期特点
符号
t
BP
t
AS
t
AH
t
DS
t
DH
t
WP
t
WPH
t
EC
参数
字编程时间
地址建立时间
地址保持时间
数据建立时间
数据保持时间
把脉冲宽度
写脉冲宽高
擦除周期时间
0
50
50
0
90
90
10
民
典型值
10
最大
50
单位
s
ns
ns
ns
ns
ns
ns
秒
项目周期波形
A0-A15
主存储器或芯片擦除周期波形
OE
CE
t
WP
t
WPH
WE
t
AS
t
AH
5555
t
DH
2AAA
5555
5555
2AAA
5555
A0-A15
t
DS
t
EC
55
WORD 1
80
WORD 2
AA
WORD 3
55
WORD 4
注3
WORD 5
数据
AA
WORD 0
注意事项：
1.
2.
OE要高只有当我们和CE都很低。
对于芯片擦除，地址应为10H 。对于主存储擦除数据应该是30H 。
8
AT49F1024/1025
