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AS7C1025A
AS7C31025A
功能说明
该AS7C1025A和AS7C31025A是高性能CMOS 1,048,576位静态随机存取存储器（ SRAM）组织成设备
131072 ×8位。它们设计用于快速数据存取，低功耗，以及简单的接口都需要的存储器应用。
平等地址访问和周期时间（T
AA
, t
RC
, t
WC
）的10/12/15/20 NS与输出使能访问时间（T
OE
的） 3/3/4/5 NS是理想的
高性能的应用程序。该芯片使能输入端CE允许轻松存储和扩展与多个银行的内存系统。
当CE为高电平时，器件进入待机模式。该标准AS7C1025A保证不超过55毫瓦的功耗
待机模式。这两款器件还提供2.0V数据保留。
写周期是由断言写使能（ WE）完成，芯片使能（ CE） 。输入引脚上的I / O0 -I / O7写入的上升数据
的WE （写周期1）或CE边缘（写周期2）。为了防止总线冲突，外部设备应该驱动I / O引脚输出一直后才
禁用
输出使能（
OE
）或写使能
（WE） 。
读周期是由断言输出使能（ OE ）来实现和芯片使能（ CE ） ，以写使能（ WE）高。芯片驱动I / O引脚
与由输入地址所引用的数据字。当任一芯片使能或输出使能无效，或写启动被激活，输出
司机留在高阻抗模式。
所有的芯片的输入和输出为TTL兼容的，并且操作是从一个单一5V电源（ AS7C1025A ）或3.3V电源（ AS7C31025A ） 。该
AS7C1025A和AS7C31025A被封装在通用的行业标准封装。
绝对最大额定值
参数
在V电压
CC
相对于GND
任何引脚相对于GND电压
功耗
存储温度（塑料）
环境温度与V
CC
应用的
DC电流转换成输出（低电平）
设备
AS7C1025A
AS7C31025A
符号
V
t1
V
t1
V
t2
P
D
T
英镑
T
BIAS
I
OUT
民
–0.50
–0.50
–0.50
–
–65
–55
–
最大
+7.0
+5.0
V
CC
+ 0.5
1.0
+150
+125
20
单位
V
V
V
W
o
o
C
C
mA
注：应力大于那些在上市
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这是一个额定值仅为运行
该设备在这些或以外的本规范的业务部门所标明的任何其他条件的值，我们不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响其可靠性。
真值表
CE
H
L
L
L
WE
X
H
H
L
OE
X
H
L
X
数据
高Z
高Z
D
OUT
D
IN
模式
待机（我
SB
, I
SB1
)
禁止输出（I
CC
)
阅读（我
CC
)
写（我
CC
)
关键： X =无关，L =低，H =高
2/6/01; V.0.9
半导体联盟
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