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AME公司
AME8861
地电流与输入电压
40
600毫安CMOS LDO
负载阶跃（ 1毫安- 600毫安）
Vo(10mV/DIV)
45
接地电流（ μ A）
35
30
25
85
O
C
OUT
放
C
L
=2.
2F
CI
N=2.
2F
15
10
5
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
I
L
(200mA/DIV)
20
25 C
O
I
负载
0
输入电压（ V）
时间（ 20毫秒/ DIV ）
辍学电压与输出电压
1200
0
-1 0
电源抑制比
辍学电压（V ）
1000
I
负载
=600mA
PSRR （分贝）
-2 0
-3 0
-4 0
-5 0
-6 0
800
C
L
= 2.2μF牛逼antalum
C
B Y形P
=0
100米
600
400
100米
一千万
200
-7 0
-8 0
1
2
3
4
5
6
10
100
A
1K
100
A
100K
1m的情况
10M
0
输出电压（V）
频率（Hz）
安全工作区
-2 0
650
-3 0
电源抑制比
100米
C
L
= 2.2μF牛逼antalum
C
B Y形P
=1000pF
输出电流（mA ）
400
270
PSRR （分贝）
-4 0
1m的情况
-5 0
100米
-6 0
-7 0
-8 0
10
一千万
100A
1K
100A
100K
10M
1.2
2
3
输入输出电压差（ V）
频率（Hz）
6
