AME公司
AME8824
地电流与输入电压
45
40
300毫安CMOS LDO
负载阶跃（ 1毫安- 300毫安）
C
L
=2.2F
C
IN
=2.2F
接地电流（ μ A）
35
30
25
20
15
10
5
0
0
1
2
3
4
25 C
O
I
L
(200mA/DIV)
V
O
(5mV/DIV)
85
O
C
产量
I
负载
5
6
7
8
0
TIME(20mS/DIV)
输入电压（ V）
电源抑制比
0
-10
-20
芯片使瞬态响应
启用（ 2V / DIV ）
C
L
=2.2F
钽
钽
C
BYP
=0
100mA
C
L
=2F
R
L
=10
PSRR （分贝）
-30
-40
-50
-60
-70
-80
10
1K
100K
10M
0
100mA
10mA
100
A
100
A
1mA
OUTPUT （ 1V / DIV ）
0
时间（毫秒/ DIV ）
频率（Hz）
辍学电压与输出电压
300
250
辍学电压与负载电流
顶部
底部
底部
V
OUT
=2.5V
V
OUT
=2.8V
V
OUT
=3.0V
V
OUT
=3.3V
V
OUT
=3.5V
V
OUT
=3.8V
250
辍学压（MV ）
200
I
负载
=300mA
I
负载
=200mA
I
负载
=100mA
漏失电压（MV ）
4
200
150
150
100
100
50
0
2.5
2.75
3
3.25
3.5
3.75
50
0
0
50
100
150
200
250
300
输出电压（V）
负载电流（mA ）
7
