龙鼎微电子公司
AME8806 /八千八百四十二分之八千八百零九
600毫安CMOS LDO
地电流与输入电压
45
40
负载阶跃（ 1毫安- 600毫安）
Vo(10mV/DIV)
接地电流（ μA ）
35
30
25
20
15
10
5
0
0
1
2
3
4
85
O
C
产量
C
L
=2.2F
CIN=2.2F
25
O
C
I
L
(200mA/DIV)
I
1。· A D
0
时间（ 20毫秒/ DIV ）
5
6
7
8
输入电压（ V）
辍学电压与输出电压
0.3
电源抑制比
0
-10
辍学电压（V ）
0.25
0.2
0.15
0.1
0.05
0
2
2.5
3
3.5
I
1。· A D
= 6 0 0为m的
-20
PSRR （分贝）
-30
-40
-50
-60
-70
C
L
=2.2
F
钽
C
B Y形P
=0
100mA
100mA
10mA
100
A
100
A
1mA
4
4.5
5
5.5
-80
1.0E+01
1.0E+03
1.0E+05
1.0E+07
输出电压（V）
频率（Hz）
安全工作区
-20
600
电源抑制比
-30
输出电流（mA ）
C
L
= 2.2μF钽
C
B Y形P
=1000pF
100mA
1mA
-40
PSRR （分贝）
100
-50
-60
-70
100mA
10mA
100A
100A
10
0.1
1.0
8.0
-80
1.0E+01
1.0E+03
1.0E+05
1.0E+07
输入输出电压差（ V）
频率（Hz）
9
