龙鼎微电子公司
AME8802
300毫安CMOS LDO
地电流与输入电压
45
负载阶跃（ 1毫安- 300毫安）
Vo(5mV/DIV)
C
L
=2.2F
C
I N
=2.2F
40
产量
接地电流（ μA ）
35
30
25
85
O
C
15
10
5
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
I
L
(200mA/DIV)
20
25
O
C
I
1。· A D
0
时间（ 20毫秒/ DIV ）
输入电压（ V）
芯片使瞬态响应
启用（ 2V / DIV ）
启用（ 2V / DIV ）
芯片使瞬态响应
C
L
=2F
R
L
=10
C
B Y形P
=1000pF
0
C
L
=2F
R
L
=10
0
OUTPUT （ 1V / DIV ）
0
时间（ 1毫秒/ DIV ）
OUTPUT （ 1V / DIV ）
0
时间（ 1毫秒/ DIV ）
辍学电压与输出电压
300
辍学电压与负载电流
250
辍学压（MV ）
250
200
150
100
I
1。· A D
= 1 0 0为m的
I
1。· A D
= 3 0 0为m的
I
1。· A D
= 2 0 0为m的
漏失电压（MV ）
200
150
从上到下
V
O u那样牛逼
=2.5V
V
O u那样牛逼
=2.8V
V
O u那样牛逼
=3.0V
V
O u那样牛逼
=3.3V
V
O u那样牛逼
=3.5V
V
O u那样牛逼
=3.8V
100
50
50
0
2.5
2.75
3
3.25
3.5
3.75
4
0
0
50
100
150
200
250
300
6
输出电压（V）
负载电流（mA ）
