A D V A N权证
我N· R M一T I O 4 N
普通话的定义） 。此外，下面的硬件
数据保护措施防止意外删除
或编程，否则可能由下列原因造成
在V系统杂散电平信号
CC
电和
省电转变，或者从系统的噪声。
低V
CC
写禁止
当V
CC
小于V
LKO
，该设备不AC-
概念的任何写周期。这期间， V保护数据
CC
上电和断电。命令寄存器和
所有的内部编程/擦除电路都被禁止，而
设备重置。随后的写操作被忽略，直到V
CC
大于V
LKO
。该系统必须提供
正确的信号给控制引脚，以防止无意中
tional写道：当V
CC
大于V
LKO
.
写脉冲“毛刺”保护
小于5纳秒（典型值）上的OE ＃ ， CE＃或噪声脉冲
WE＃不启动写周期。
逻辑INHIBIT
开始
RESET ＃ = V
ID
（注1 ）
执行擦除或
方案业务
RESET ＃ = V
IH
临时机构
撤消已完成
（注2 ）
21518A-5
注意事项：
1.所有受保护的行业保护。
2.所有先前保护部门的保护，一旦
再次。
写周期是由持有OE ＃任何一个抑制
= V
IL
，CE ＃ = V
IH
或WE ＃ = V
IH
。要开始写赛扬
CLE ， CE ＃和WE ＃必须，而OE ＃逻辑零
是一个逻辑1 。
上电时禁止写入
网络连接gure 3 。
临时机构撤消操作
硬件数据保护
解锁周期的命令序列要求
进行编程或擦除提供数据保护
防止意外写入（请参考表5的COM
如果WE＃ = CE ＃ = V
IL
和OE ＃ = V
IH
在电源
时，该设备不接受的命令
上涨的WE＃边沿。内部状态机
AUTOMA TI callyreset到readingar射线在AON
电。
命令德网络nitions
写具体地址和数据命令或SE-
quences到命令寄存器启动装置OP-
操作。表5中定义了有效的寄存器命令
序列。写作
不正确的地址和数据val-
UES
或者将它们写在
不正确的序列
复位
该设备读取阵列的数据。
所有地址锁存WE＃的下降沿或
CE＃ ，以较迟者为准发生。所有的数据被锁存
WE＃或CE ＃的上升沿，发生者为准
第一。请参考相应的时序图
“AC特性”一节。
读出定时，不同之处在于，即使读取时的地址
擦除悬浮部门，器件输出范围内
状态数据。完成编程操作后
化在擦除挂起模式时，系统可能
再一次用相同的异常读阵列的数据。
请参阅“擦除暂停/删除恢复命令”
在这种模式的更多信息。
该系统
必须
发出复位命令重新恩
能的装置，用于读取阵列数据是否DQ5变高，
或者，同时在自动选择模式。请参阅“重设的COM
普通话“一节，接下来。
又见于“为读阵列数据要求”
“设备总线操作”一节以获取更多信息。
读操作表提供了读取参
TER值，和图14示出了时序图。
读阵列数据
该装置会自动设置为读取阵列数据
之后器件上电。没有命令要求
检索数据。该器件还准备读阵列
完成嵌入式程序或EM-后的数据
层状擦除算法。
该器件接受后擦除挂起的COM
普通话，设备进入擦除挂起模式。
该系统可以使用标准的读出数组数据
复位命令
写复位命令到设备重置DE-
副读取阵列数据。地址位无关
此命令。
Am29LL800B
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