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修订概要FOR AM29F800B
版本B
全球
增加了-55的速度选项。更改后的数据表designa-
从化超前信息初步。
扇区保护/ unprotection的
纠正案文指出，这些功能只能
使用编程设备来实现。
表1 ，设备总线操作
修订后的指示输入两个CE＃和RESET ＃
所需的待机模式。
程序命令序列
改为显示数据＃投票有效时间应为2μs
如果该扇区光谱的程序指令序列后
后指定被保护。
扇区擦除命令序列和DQ3 ：扇区
擦除定时器
纠正扇区擦除超时设置为50微秒。
擦除挂起命令
改变以指示该设备暂停
后上升的擦除操作最多20微秒
的WE＃边沿。
DC特性
改为显示V
ID
最小值和最大值是11.5
12.5 V，一起一伏
CC
5.0 V.新增的测试条件
典型值TTL表。修订后的CMOS典型
待机电流（I
CC3
).
图14 ：芯片/扇区擦除操作时序;
图19 ：备用CE ＃控制的写
操作时序
在地址和数据校正的十六进制值
波形。在图19中，校正后的数据值的芯片
和扇区擦除。
擦除和编程性能
正确的单词和芯片编程时间。
版本C
全球
格式化为与其他5.0伏的唯一的数据一致性
床单。
版本C + 1
特色鲜明
改变了典型的编程/擦除电流30 mA至
搭配CMOS DC特性表。
改变最小的耐力百万的写入周期
每个扇区的保证。
AC特性
擦除/编程操作：
更正的说明为参考
ENCE在t
WHWH1
和T
WHWH2
。这些参数是
100 ％测试。改变的吨
DS
和T
CP
规格为55
NS设备。改变的吨
WHWH1
字模式规范
到12微秒。
备用CE ＃控制的擦除/编程操作：
纠正在t时的注意事项参考
WHWH1
和T
WHWH2
.
这些参数都经过100 ％测试。改变的吨
DS
和
t
CP
规格为55 ns的设备。改变的吨
WHWH1
字模式规范到12微秒。
临时机构撤消表
在t补充说明参考
VIDR
。该参数不
100 ％测试。
擦除和编程性能
在注1和6 ，改变了耐力规范
1万次。
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Am29F800B
