概述
该Am29F160D是16兆， 5.0伏，仅限于Flash
存储设备组织为2,097,152字节或
1,048,576字。数据显示在DQ0 - DQ7或DQ0-
DQ15根据所选择的数据宽度。该
设备被设计成在系统编程用
标准系统5.0伏V
CC
供应量。 12.0伏
V
PP
不需要用于编程或擦除操作。
该设备还可以在标准编程
EPROM编程器。
该器件提供70 ， 90的访问时间，和120纳秒，
允许高速微处理器来操作
无需等待。该器件采用48引脚
TSOP封装。为了消除每个总线争
设备都有单独的芯片使能（ CE ＃ ） ，写使能
（ WE＃ ）和输出使能（ OE ＃ ）控制。
只有每个设备都需要
单5.0伏电源
供应
用于读取和写入功能。国内
产生并提供了用于调节电压
编程和擦除操作。
该设备完全指令集的兼容
JEDEC单电源闪存标准。
COM-
要求主要通过标写入命令寄存器
准微处理器写时序。寄存器的内容
作为输入到一个内部状态机是CON组
指令对擦除和编程电路。写周期
还在内部锁存器需要的地址和数据
编程和擦除操作。读出数据
该装置类似于读取来自其他闪存或
EPROM器件。
器件编程时通过执行程序
命令序列。这将启动
嵌入式
节目
算法的内部算法，自动
matically次编程脉冲宽度和验证
适当的细胞保证金。该
解锁旁路模式
设施
大老通过要求只有两个更快的编程时间
写周期编程数据，而不是四个。
设备出现擦除通过执行擦除
命令序列。这将启动
嵌入式
擦除算法的
内部算法， automati-
美云preprograms阵列（如果它尚未亲
编程）执行擦除操作之前。
在擦除，擦除设备会自动倍
脉冲宽度和验证正确的细胞保证金。
主机系统可以检测是否一个程序或
擦除操作完成，通过观察RY / BY ＃
针，通过阅读DQ7 （数据＃查询） ，或DQ6
（切换）
状态位。
经过编程或擦除周期有
完毕后，该装置已准备好读取数组数据
或接受另一个命令。
该
扇区擦除架构
让内存部门
要被擦除和重新编程，而不会影响
其他部门的数据内容。该装置是完全
从工厂发货时被擦除。
硬件数据保护
措施包括一个低
VCC探测器，自动禁止写操作
在上电期间的过渡。该
硬件部门保护
化
功能禁用这两个编程和擦除操作
中的存储器扇区的任意组合。这可以是
在系统或通过编程设备来实现。
该
写保护（ WP ＃ ）
功能可以保护16
通过产生一个逻辑低电平的WP ＃ KB的引导扇区
销，该扇区是否以前一直亲
tected 。
该
擦除暂停/删除恢复
功能使
用户将擦除搁置任何时间
读取数据，或程序数据，即任何扇区
未选择删除。真正的背景擦除即可
由此来实现。
该
硬件RESET ＃引脚
终止任何操作
在进行中，内部状态机复位到
读阵列数据。在RESET ＃引脚可连接到
系统复位电路。因此，一个系统复位也会
复位装置，使系统微处理器
读取来自闪存设备引导固件。
该器件提供了一个
待机模式
作为节电
功能。一旦系统会将设备进
待机状态下的功耗大大降低。
AMD的闪存技术，结合多年的闪光
内存制造经验，生产的
的质量，可靠性和成本effective-最高水平
内斯。该装置电擦除内所有的位
通过福勒- Nordheim隧穿部门同时进行。
的数据是使用热电子注入编程。
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Am29F160D
