tions和为读操作时序图
时序波形。我
CC1
在直流特性
表表示有功电流规范
读阵列数据。
该设备还进入待机模式时， RE-
SET ＃被拉低。请参阅下一节“ RE-
SET ＃ ：硬件复位引脚“ 。
如果设备被擦除或编程过程中取消选择
明，该器件消耗的有功电流，直到
操作完成。
在DC特性表，我
CC3
代表
待机电流规格。
写命令/命令序列
写一个命令或命令序列（这在 -
cludes编程数据到设备和擦除
的存储器扇区）时，系统必须驱动WE＃和
CE＃到V
IL
和OE ＃到V
IH
.
擦除操作可以擦除一个扇区，多节
器，或整个设备。扇区地址表在 -
dicate每个扇区占用的地址空间。一
“扇区地址”由所要求的地址位
唯一地选择一个扇区。请参阅“命令Defini-
在擦除扇区或恩范“一节
轮胎芯片，或悬浮/恢复的擦除操作。
系统后写自选命令SE-
quence ，器件进入自动选择模式。该
然后，系统可以从接口读取自动选择码
纳尔寄存器（它是分开的存储器阵列）
在DQ7 - DQ0 。标准的读周期时序适用于本
模式。请参阅“自选模式”和“自选
命令序列“的详细信息部分。
I
CC2
在DC特性表代表了AC-
略去电流规格为写入模式。在“AC
特性“部分包含时序规格
表和时序图，用于写操作。
自动休眠模式
自动睡眠模式，最大限度地降低闪存器件
能量消耗。该设备将自动启用
当地址保持稳定吨这种模式
加
+ 30
纳秒。自动睡眠模式是独立的
CE ＃ ， WE ＃和OE ＃控制信号。标准地址
时序进入时提供的地址是新数据
改变了。而在睡眠模式下，输出数据被锁存
并始终可用的系统。
RESET ＃ ：硬件复位引脚
在RESET ＃引脚提供了复位 - 硬件方法
婷设备读取阵列数据。当系统
驱动RESET ＃引脚低电平至少一个周期T
RP
,
设备
立即终止
在任何操作
进步，所有的三态数据输出引脚，而忽略所有
读/写的企图的RESET ＃期限
脉搏。该器件也复位内部状态马
茅根阅读阵列的数据。这是IN-操作
terrupted应该重新开始，一旦该设备已准备就绪
接受另一个命令序列，以确保数据的
诚信。电流减小为RE-的持续时间
SET ＃脉冲。
在RESET ＃引脚可以连接到系统复位税务局局长
cuitry 。系统复位将因此还重新设置闪光
存储器，使系统能够读取开机固件内
洁具从Flash存储器中。
如果RESET ＃是在一个程序断言或擦除操作
ATION的RY / BY ＃引脚保持为“0” （忙） ，直到出现
ternal复位操作完成，这需要一个
时间t
准备
（在嵌入式算法） 。该
这样的系统可以监控RY / BY ＃来确定是否
在复位操作完成。如果RESET ＃是断言
当一个程序或擦除操作不执行
（ RY / BY＃引脚为“1”） ，在复位操作完成时
吨的时间内
准备
（不是在嵌入式Algo-
rithms ） 。该系统可以读取的数据吨
RH
在RE-后
SET ＃引脚返回到V
IH
.
请参考RESET＃纸张的交流特性表
rameters和时序图。
编程和擦除操作状态
在一个擦除或写入操作时，系统可
通过读取状态检查操作的状态
位在DQ7 - DQ0 。标准的读周期时序和我
CC
读取规格适用。请参阅“写操作
状态“的详细信息，以及每个AC字符
开创性意义部分的时序图。
待机模式
当系统没有读取或写入设备，
它可以将器件置于待机模式。在这
模式下，电流消耗大大减少，并且
输出被置于高阻抗状态，不知疲倦
下垂的OE ＃输入。
该器件进入CMOS待机模式时，
CE ＃和RESET ＃保持在V
CC
±
为0.5V （注意
这是一个比较受限制电压范围比V
IH
。 ） WP ＃
必须要么在V举行
CC
±
0.5 V或悬空。
该器件进入TTL待机模式时， CE＃
和RESET ＃引脚均保持在V
IH
。该设备重
张塌塌米标准访问时间（t
CE
）的读访问时
该装置是在这两种待机模式，收到
准备读取数据。
输出禁止模式
当OE ＃输入为V
IH
从设备输出是
禁用。输出引脚被放置在高阻抗
ANCE状态。
Am29F160D
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