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AMD
输出或- Tieing
为了适应多种存储连接，一两
行控制功能提供了允许：
s
低内存功耗
s
保证不会发生输出总线争
系统应用
在工作和待机条件之间的切换
系统蒸发散，瞬态电流峰值上产生的上升
而芯片的下降沿启动。的幅度
这些瞬态电流峰值取决于输出
放设备的电容负载。至少，一个
0.1 μF陶瓷电容（高频，低固有
电感）应之间的每个设备上使用
V
CC
和V
SS
尽量减少瞬态效应。此外，为
克服了电感EF - 电压降
印刷电路板线迹上的EPROM AR- fects
线，应采用一块4.7 μF大容量电解电容
V之间
CC
和V
SS
每个8设备。在某些地区可能
电容器的灰应接近其中功率
电源被连接到所述阵列。
所以建议
CE
进行解码，并用作
主要设备选择功能，同时
OE
做出一个
数组和反对中所有设备共同连接
，连接到该读线从系统控制总线。
这保证了所有选择的存储设备是在
低功耗待机模式，而输出引脚
只有当数据从一个特定的所需活性
存储器设备。
模式选择表
模式
读
输出禁用
待机（ TTL）的
待机（CMOS）
节目
程序校验
禁止程序
自动选择
（注3）
生产厂家
CODE
器件代码
引脚
CE
V
IL
X
V
IH
V
CC
+ 0.3 V
V
IL
V
IH
V
IH
V
IL
V
IL
OE
V
IL
V
IH
X
X
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IL
A0
X
X
X
X
X
X
X
V
IL
V
IH
A9
X
X
X
X
X
X
X
V
H
V
H
VPP
X
X
X
X
VPP
VPP
VPP
X
X
输出
D
OUT
高-Z
高-Z
高-Z
D
IN
D
OUT
高-Z
01H
10H
注意事项：
1. V
H
= 12.0 V + 0.5 V
2. X =要么V
IH
或V
IL
3， A1 -A8 = A10 - A14 = V
IL
4.请参阅DC编程特性V
PP
在编程过程中的电压。
2-38
Am27C256
