F I A L
数组和反对中所有设备共同连接
，连接到该读线从系统控制总线。
这保证了所有选择的存储设备是在
其低功耗待机模式，而输出引脚
只有当数据从一个特定的所需活性
存储器设备。
这些瞬态电流峰值取决于输出
放设备的电容负载。至少，一个
0.1 μF陶瓷电容（高频，低固有
电感）应之间的每个设备上使用
V
CC
和V
SS
尽量减少瞬态效应。此外，
以克服由所述感应的电压降
印刷电路板线迹上的EPROM AR-影响
线，应采用一个4.7 μF的大容量电解电容
V之间
CC
和V
SS
每个8设备。在某些地区可能
电容器的灰应靠近那里的
电源被连接到所述阵列。
系统应用
在工作和待机条件之间的切换
系统蒸发散，瞬间峰值电流产生的利培
荷兰国际集团和芯片的下降沿启动。的幅度
模式选择表
模式
读
输出禁用
待机（ TTL）的
待机（CMOS）
节目
程序校验
禁止程序
自动选择
（注3）
制造商代码
器件代码
CE ＃ / PGM ＃
V
IL
V
IL
V
IH
V
CC
+ 0.3 V
V
IL
V
IL
V
IH
V
IL
V
IL
OE ＃
V
IL
V
IH
X
X
V
IH
V
IL
X
V
IL
V
IL
A0
X
X
X
X
X
X
X
V
IL
V
IH
A9
X
X
X
X
X
X
X
V
H
V
H
V
PP
X
X
X
X
V
PP
V
PP
V
PP
X
X
输出
D
OUT
高Z
高Z
高Z
D
IN
D
OUT
高Z
01h
9Bh
注意：
1. V
H
= 12.0 V
±
0.5 V.
2. X =要么V
IH
或V
IL
3. A1 - A8 = A10 - A18 = V
IL
在EPROM产品数据手册的V 4.看DC编程特性
PP
在编程过程中的电压
6
Am27C040
