位置：首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第311页 > ACT-SF128K32N-37P1C > ACT-SF128K32N-37P1C PDF资料 > ACT-SF128K32N-37P1C PDF资料1第3页
SRAM交流特性
(V
CC
= 5.0V, V
SS
= 0V ，T
C
= -55 ° C至+ 125°C ）
读周期
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片选择访问时间
从地址变更输出保持
输出使能到输出有效
芯片在低Z选择输出*
输出使能到输出低Z *
芯片取消选择到输出高Z *
输出禁止到输出高Z *
*这些参数保证了设计，但没有测试
符号
t
RC
t
AA
t
ACE
t
OH
t
OE
t
CLZ
t
OLZ
t
CHZ
t
OHZ
3
0
12
12
0
15
3
0
20
20
–025
最小最大
25
25
25
0
20
–035
最小最大
35
35
35
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
写周期
参数
写周期时间
片选写的结束
地址有效到写结束
数据有效到写结束
把脉冲宽度
地址建立时间
输出有源，从写结束*
写入输出高Z *
从时间写数据保持
地址保持时间
*这些参数保证了设计，但没有测试
符号
t
WC
t
CW
t
AW
t
DW
t
WP
t
AS
t
OW
t
WHZ
t
DH
t
AH
0
0
–025
最小最大
25
20
20
15
20
0
0
10
0
0
–035
最小最大
35
25
25
20
25
0
0
20
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
SRAM真值表
模式
待机
读
输出禁用
写
SCE
H
L
L
L
OE
X
L
H
X
SWE
X
H
H
L
数据I / O
高Z
数据输出
高Z
DATA IN
动力
待机
活跃
活跃
活跃
艾法斯电路技术
3
SCD3850 REV A 98年5月20日
纽约州Plainview的（ 516 ） 694-6700
