位置：首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第1359页 > ACT-SF128K32N-26P1T > ACT-SF128K32N-26P1T PDF资料 > ACT-SF128K32N-26P1T PDF资料1第4页
时序图 - SRAM
读周期时序图
读周期1 （ SCE = OE = V
IL
， SWE = V
IH
)
t
RC
A
0-16
t
AA
t
OH
D
I / O
以前的数据有效
数据有效
SCE
t
AS
SWE
S
EE
N
OTE
写周期时序图
写周期（ SWE控制， OE = V
IH
)
t
WC
A
0-16
t
AW
t
CW
t
AH
t
WP
t
WHZ
t
DW
数据有效
t
OW
t
DH
D
I / O
读周期2 （ SWE = V
IH
)
t
RC
A
0-16
t
AA
SCE
t
ACE
t
CLZ
S
EE
N
OTE
写周期（ SCE控制， OE = V
IH
)
t
WC
A
0-16
t
AW
t
CHZ
S
EE
N
OTE
t
AH
t
CW
t
AS
SCE
OE
t
WP
t
OE
t
OLZ
S
EE
N
OTE
t
OHZ
S
EE
N
OTE
SWE
t
DW
D
I / O
数据有效
t
DH
D
I / O
高Z
数据有效
未定义
不在乎
注：由设计保证，但未经测试。
AC测试电路
电流源
I
OL
AC测试条件
参数
典型
0 – 3.0
5
1.5
单位
V
ns
V
为了测试设备
C
L
= 50 pF的
V
Z
1.5 V（双极性电源供电）
输入脉冲电平
输入兴衰
输入和输出时序参考电平
I
OH
电流源
注意事项：
1) V
Z
的可编程范围为-2V至+ 7V 。 2 ）I
OL
我
OH
可编程从0到16毫安。 3 ）阻抗测试仪
Z
O
= 75.
4)
V
Z
通常Ⅴ的中点
OH
和V
OL
. 5) I
OL
我
OH
被调整，以模拟典型的电阻
负载电路。 6 ） ATE测试仪包括夹具电容。
艾法斯电路技术
4
SCD3850 REV A 98年5月20日
纽约州Plainview的（ 516 ） 694-6700
