飞利浦半导体
产品speci fi cation
四双边开关
特点
LOW “ON”抵抗：
160
（典型值）在V
CC
V
EE
= 4.5 V
120
（典型值）在V
CC
V
EE
= 6.0 V
80
（典型值）在V
CC
V
EE
= 9.0 V
逻辑电平转换：
使5 V逻辑进行沟通
同
±
5 V模拟信号
建于典型的“化妆前破发”
输出能力：非标
I
CC
类别： MSI
概述
该74HC / HCT4316是高速硅栅CMOS
设备。它们与JEDEC规定的遵守
没有标准。 7A 。
74HC/HCT4316
该74HC / HCT4316有四个独立的模拟
开关。每个开关有两个输入/输出端
（ NY，NZ ）和一个高电平选择输入（ NS） 。当
使能输入端（E）为高电平时，所有的四个模拟开关
关闭。
电流通过一个开关不会造成额外的V
CC
电流在开关的端子所提供的电压
被保持在电源电压范围内;
V
CC
＆ GT ;＆ GT ;
(V
Y
, V
Z
)
＆ GT ;＆ GT ;
V
EE
。输入NY和NZ是电
相当于终端。
V
CC
和GND是电源电压引脚为数字
控制输入（ E和NS） 。在V
CC
到GND范围为2.0
至10.0 V的HC和4.5至5.5 V的HCT 。
模拟量输入/输出（ NY和NZ）之间可摆动
V
CC
作为一个积极的极限和V
EE
作为负限。
V
CC
V
EE
不得超过10.0 V.
看到“ 4016 ”的无逻辑电平的版本
翻译。
快速参考数据
V
EE
= GND = 0 V ;牛逼
AMB
= 25
°C;
t
r
= t
f
= 6纳秒
典型
符号
t
PZH
打开“ON”时
E至V
OS
nS至V
OS
t
PZL
打开“ON”时
E至V
OS
nS至V
OS
t
PHZ
/ t
PLZ
打开“OFF”时
E至V
OS
nS至V
OS
C
I
C
PD
C
S
笔记
1. C
PD
被用于确定所述动态功率
功耗（P
D
in
W):
P
D
= C
PD
×
其中：
V
CC2
×
f
i
+ ∑
{ (C
L
+
C
S
)
×
V
CC2
×
f
o
}
C
L
在PF =输出负载电容
C
S
=最大。在pF的电容开关
V
CC
在V =电源电压
2.对于HC的条件为V
I
= GND到V
CC
对于HCT的条件为V
I
= GND到V
CC
1.5 V
输入电容
每个交换机的功耗电容
最大。开关电容
注1和2
20
16
3.5
13
5
21
19
3.5
14
5
ns
ns
pF
pF
pF
19
16
24
21
ns
ns
参数
条件
HC
C
L
= 15 pF的;
L
= 1 k;
V
CC
= 5 V
19
16
19
17
HCT
ns
ns
单位
f
i
=输入MHz的频率
f
o
=输出MHz的频率
∑
{ (C
L
+
C
S
)
×
V
CC2
×
f
o
} =产出的总和
1993年9月
2
